[其他]MOS栅控横向晶闸管

权利要求书

1、一种新型结构的晶闸管，由PNPN四层结构组成，其特征在于组成晶闸管的PNPN层为横向结构，采用MOS管和双极型晶体管复合构成，MOS管的源、漏区和双极型晶体管的发射区及收集区组成横向晶闸管的四层结构，其中MOS管的漏区与双极型晶体管的基区为公用区。

2、根据权利要求1所述的晶闸管，其特征在于晶闸管由PMOS管和NPN双极型晶体管复合构成。

3、根据权利要求1所述的晶闸管，其特征在于晶闸管由NMOS管和PNP双极型晶体管复合构成。

4、根据权利要求1或2所述的晶闸管，其特征在于晶闸管采取漂移区和场极板结构，即PMOS栅控管漏区和双极型晶体管N^＋PN^－基区的公用区P^－采用离子注入形成轻掺杂的漂移区，而且在漂移区上面设置了延伸的源场极板和由MOS管栅电极的延伸形成栅场极板。

5、根据权利要求4所述的晶闸管，其特征在于PMOS管的沟道长度L＝（10～20）微米，沟道宽长比（W／L）＝（200～1000），漂移区长度L_R＝（50～70）微米，源场极板长度L_sf＝（30～40）微米，栅场极板长度L_s′f＝（12～18）微米。