[其他]对称型霍尔器件

说明书

该实用新型属于电子元器件。

目前国内外霍尔器件主要采用菱形和十字形结构。这两种结构的霍尔器件都存在着不同程度的缺点：菱形结构的虽然不等位电势小，但霍尔输出低、线性度差；十字形结构的不等位电势较大，线性度较差，因而使得霍尔器件的灵敏度较差。

该实用新型的目的在于避免上述现有技术中的不足之处，而提供一种霍尔输出高，不等位电势小、线性度好、灵敏度好的对称型霍尔器件。

该实用新型的目的可以通过以下措施来达到：对称型霍尔器件采用十字形结构，在控制电流极上开有两个对称的槽，槽宽S大于5微米，小于 60微米；十字交叉处的四个角是圆弧形的倒角，倒角直径φ大于 1/10 （元件输出长a－本体宽H）微米，小于 2/3 （a－H）微米。四个定位电极亦呈圆弧形。

对称型霍尔器件示意图如图1所示；图中1、2端为控制电流极，3、4端为霍尔电极，5为槽，6为倒角，7为定位电极，a为元件输出长，b为元件输入长，H为本体宽，S为槽宽。

下面结合实施例作进一步详细说明：

实施例1

采用砷化镓半导体材料作霍尔片〔（100）晶向〕，元件输出长a＝540微米，输入长b＝480微米，本体宽H＝180微米，霍尔片厚为10微米，槽宽S＝40微米，十字交叉处倒角直径φ＝55微米，定位电极为半圆形，测试结果如表中对称型1。

实施例2

采用砷化镓半导体材料作霍尔片〔（100）晶向〕，元件输出长a＝540微米，元件输入长b＝480微米，本体宽H＝180微米霍尔片厚为10微米，槽宽S＝30微米，十字交叉处倒角直径φ＝75微米，定位电极为半圆形，测试结果如表中对称型2。

砷化镓霍尔器件参数比较

项目型号灵敏度mv/0.1T不等位电势mv电线性度%磁性性度%对称型11.94×106.56×10^-12.1×10^-12.1×10^-1对称型22.34×101.20×10^-14.2×10^-10.0十字型11.20×108.60×10^-14.5×10^-14.2×10^-1十字型21.15×107.43×10^-18.1×10^-11.6×10^-1