[其他]复合外腔半导体激光器无效
| 申请号： | 87215998 | 申请日： | 1987-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN87215998U | 公开（公告）日： | 1988-10-05 |
| 发明（设计）人： | 霍玉晶;许知止;周炳琨 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01S3/19 | 分类号： | H01S3/19;H01S3/08 |
| 代理公司： | 清华大学专利事务所 | 代理人： | 黄学信,胡兰芝 |
| 地址： | 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合 半导体激光器 | ||
【权利要求书】：
1、一种复合外腔半导体激发器，它是由激光二极管、自聚焦透镜、反射镜、调整机构和致冷装置组成，由位于耦合腔一侧端面镀有适当增透膜的激光二极管的两个端面构成本征腔，由自聚焦透镜和部分反射镜构成光反馈和光输出系统，其特征在于激光二极管未镀增透膜的一端和两面介质膜部分反射镜分别组成两个耦合外腔，全部结构粘为一个整体，密封在外壳内，壳内充有保护气体。
2、一种复合外腔半导体激光器，它是由激光二极管、自聚焦透镜反射镜、调整机构和致冷装置组成，由位于耦合腔一侧端面镀有适当增透膜的激光二极管的两个端面构成本征腔，由自聚焦透镜和部分反射镜构成光反馈和光输出系统，其特征在于自聚焦透镜的左端镀有增透膜，右端镀有介质部分反射膜，它和另一介质膜部分反射镜与激光二相管左端面形成复合外腔，全部结构粘为一个整体，密封在外壳内，壳内充有保护气体。
3、根据权利要求1、2所述的复合外腔半导体激光器，其特征在于所述的自聚焦透镜是在非反射面镀有增透膜的两端为平面的柱体。
4、根据权利要求1、2所述的复合外腔半导体激光器，其特征在于所述的自聚焦透镜是在非反射面镀有增透膜的，在接近激光二极管的端面为凸球面，另一端为平面的柱体。
5、根据权利要求1、2所述的复外腔半导体激光器，其特征在于其机械结构用热胀系数小的殷钢、石英玻璃、微晶玻璃、超微晶玻璃制成。
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