[其他]一种微氮低氧化碳直拉硅单晶的制备方法无效

申请号：	88100307	申请日：	1988-01-20
公开（公告）号：	CN88100307A	公开（公告）日：	1988-07-27
发明（设计）人：	李立本;阙端麟	申请（专利权）人：	浙江大学
主分类号：	C30B29/06	分类号：	C30B29/06;C30B27/02
代理公司：	浙江大学专利代理事务所	代理人：	连寿金
地址：	浙江省杭***	国省代码：	浙江;33
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摘要：
搜索关键词：	一种微氮低氧化碳直拉硅单晶制备方法
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【权利要求书】：

1、一种微氮低氧低碳直拉硅单晶的制备方法，包括外加磁场为1000～5000高斯，坩埚转速为5～20转/分，坩埚内多晶投料量为20～60kg，晶体转速为10～30转/分，拉速为0.8～1.5毫米/分，晶体直径为2″～6″，其特征在于采用99.99%以上的氮气或氩-氮混合气作为保护气体，炉内气体压力为5～80托，气体流量为4～16m³/hr。

2、根据权利要求1所述的硅单晶的制备方法，其特征在于炉内气体压力的最佳值为15～25托。

3、根据权利要求1所述的硅单晶的制备方法，其特征在于拉制直径为3″硅单晶时，气体最佳流量为4～6m³/hr。

4、根据权利要求1所述的硅单晶的制备方法，其特征在于拉制直径为4″硅单晶时，气体最佳流量为5～8m³/hr。

5、根据权利要求1所述的硅单晶的制备方法，其特征在于拉制直径为5″硅单晶时，气体最佳流量为7～10m³/hr。

6、根据权利要求1所述的硅单晶的制备方法，其特征在于拉制直径为6″硅单晶时，气体最佳流量为9～12m³/hr。

7、根据权利要求1所述的硅单晶的制备方法，其特征在于采用氩-氮混合气作为保护气体，其中氩气成份为2～10%，氮气成份为98～90%。

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