[发明专利]利用CMOS工艺制造双极型晶体管

权利要求书

1、一种利用MOS工艺制造双极型晶体管的方法，它包括以下步骤：

在半导体基片表面形成属于第一导电类型的半导体阱；

在所述半导体阱中形成第二导电类型的半导体基区；

形成与所述半导体基区接触的、属于所述第一导电类型的多晶硅发射极结构，

其特征在于：

所述发射极结构具有侧壁；

在所述多晶硅发射极结构的所述侧壁上形成绝缘体；

在所述阱中形成自动对准所述发射极结构的所述绝缘体、属于第一导电类型的半导体集电区；

在所述阱中形成自动对准所述发射极结构的所述绝缘体、属于所述第二导电类型的半导体非本征基区；以及

使一种所述第一导电类型杂质进入所述基区从而形成属于所述第一导电类型的半导体发射区。

2、如权利要求1所述的方法，其特征在于，它还包括，形成覆盖在所述发射极结构上以防止不需要的相反导电类型的杂质进入所述发射极结构的临时阻挡层。

3、如权利要求1所述的方法，其特征在于，它还包括，在所述发射极结构和所述半导体基区之间形成绝缘体，在所述绝缘体的中心形成窗口，形成穿过窗口与所述半导体基区接触的所述发射极结构。

4、如权利要求1所述的方法，其特征在于，它还包括，在所述半导体基片表面形成所述基区和所述集电区，形成覆盖所述基区、所述集电区和所述多晶硅发射极结构的一部分以提供电接触表面的导电硅化物。

5、如权利要求4所述的方法，其特征在于，它还包括，在所述半导体基片表面形成邻接所述基区的所述半导体阱的一部分，形成一层金属覆盖所述半导体阱的一部分和所述基区的一部分，从而形成与所述双极型晶体管的集电结并联的势垒二极管。

6、如权利要求3所述的方法，其特征在于，它还包括，用所述绝缘体形成MOSFET器件栅极绝缘体，用所述发射极结构的材料形成栅极导体。

7、如权利要求6所述的方法，其特征在于，它还包括，在形成所述发射极绝缘体的同时形成所述栅极绝缘体，在形成发射极结构的同时形成所述栅极导体。

8、如权利要求6所述的方法，其特征在于，它还包括，在相应的侧壁绝缘体形成于所述栅极导体的同一时间用相同步骤在所述发射极结构上形成侧壁绝缘体。

9、如权利要求6所述的方法，其特征在于，它还包括，当所述非本征基区形成的同时形成第一类型MOSFET器件的源区和漏区，在所述集电区形成的同时形成第二类型MOSFET器件的源区和漏区。

10、一种按照权利要求1所述方法制成的双极型晶体管，其特征在于，它包括：

属于第一导电类型的半导体阱;

覆盖所述阱并从一端延伸到另一端的导电多晶硅带，所述多晶硅带的所述一端横向延伸超出所述半导体阱;

埋在所述多晶硅带之下的、属第二导电类型的半导体本征基区;

形成于所述本征基区中与所述多晶硅发射极带相接触的半导体发射区;以及

形成于所述多晶硅发射极带相异侧的非本征基区和集电区，所述非本征基区和所述集电区与所述本征基区形成电接触。

11、如权利要求10所述的双极型晶体管，其特征在于，它还包括，同所述非本征基区，所述集电区和横向超出所述半导体阱的所述多晶硅发射极带的一部分形成接触的各个电极。

12、如权利要求10所述的双极型晶体管，其特征在于，它还包括下埋嵌入的发射区，该发射区包括形成于所述基区的发射区并且其宽度小于所述多晶硅发射极带的对应宽度。

13、如权利要求10所述的双极型晶体管，其特征在于，它还包括，处于所述多晶硅发射极带和所述基区之间的绝缘体和在所述绝缘体中心的窗口，所述多晶硅发射极带通过该窗口与所述基区形成接触。

14、如权利要求10所述的双极型晶体管，其特征在于，它还包括围式发射极，该发射极包括与所述基区接触的所述多晶硅发射极带，并且其宽度大致等于所述多晶硅发射极带的相应宽度。

15、如权利要求10所述的双极型晶体管，其特征在于，它还包括，所述多晶硅发射极带上的侧壁绝缘体，并且所述非本征基区和所述集电区自动对准所述侧壁绝缘体。