[其他]氧化物超导体无效

专利信息
申请号: 88100501 申请日: 1988-01-30
公开(公告)号: CN88100501A 公开(公告)日: 1988-08-10
发明(设计)人: 长谷川晴弘;川辺潮;樽谷良倍;深泽德海;会田敏之;高木一正 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: H01B12/00 分类号: H01B12/00;H01L39/24
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人: 沙捷
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 氧化物 超导体
【权利要求书】:

1、一种氧化物超导体,特点为包括一种具有类似于钙钛矿晶体结构的K2NiF4晶体结构的氧化物,并由下式表示:

其中0.1<x+z<0.3,w=0,及y≥0;

或者0≤x<1,0<z<1,0<w<1,及y≥0。

2、一种A3Cu3O7型氧化物超导体(其中A包括由Ba组成的第一种原子和从Y、La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中选出的第二种原子),至少具有CuO6八面体和CuO5五面体中的一种,该超导体至少包括从碱金属和F中选出的第三种原子,上述碱金属是Na、K、Rb和Cs。

3、根据权利要求2所述的一种氧化物超导体,其中,由上述第三种原子中的碱金属取代部分第一种和第二种原子。

4、根据权利要求3所述的一种氧化物超导体,其中,所说的碱金属是K。

5、根据权利要求1所述的一种氧化物超导体,其中,图9中的规则三角形表示成分范围,其中上述第一种,第二种和第三种原子的成分比构成各个顶点,当假定上述第二种原子,第一种原子(Ba)和第三种原子的成分比分别是x、y和z时,在此三角形中(x、y、z)满足x+y+z=1的关系,并且在由点1(0.3,0.65,0.05),点3(0.4,0.3,0.3)和点5(0.85,0.1,0.05)包围的区域中取值。

6、根据权利要求5所述的一种氧化物超导体,其中,上述(x,y,z)满足x+y+z=1的关系,并且在由点1(0.3,0.65,0.05),点2(0.4,0.55,0.05)和点3(0.4,0.3,0.3)包围的区域中取值。

7、根据权利要求4所述的一种氧化物超导体,其中,图9中的规则三角形表示成分范围,上述第一种原子(Y),第二种原子(Ba)和第三种原子(K)的成分比分别构成各个顶点,当上述第二种原子是Y,并假定第二种原子、第一种原子(Ba)和第三种原子(K)的成分比分别是x、y和z时,上述(x,y,z)满足x+y+z=1的关系,并且在由点1(0.3,0.65,0.05),点2(0.4,0.55,0.05)和点3(0.4,0.3,0.3)包围的区域中取值。

8、一种制备氧化物超导体的方法,包括:

制备原材料,它由从La-M-Cu氧化物系或Y-M-Cu氧化物系(其中M是Sr,Ba或Ca)的多晶中选出的至少一种成分组成,该成分是K2NiF4晶体结构或类似于钙钛矿晶体结构的复合氧化物,在该结构中,铜离子位于氧八面体的中心,该成分还可以是具有类似于上述复合氧化物组成成分的化学计量成分比的混合物;

制备助熔剂,它包括熔点低于上述复合氧化物的CuO;

将上述原材料溶解上述助熔剂中,同时保持溶解温度低于上述复合氧化物的熔点,并使复合氧化物溶解在上述助熔剂中;

在由上述原材料的溶解制得的饱和助熔剂溶液中生成上述复合氧化物的单晶。

9、根据权利要求8所述的方法,其中,上述复合氧化物的晶体是通过逐渐冷却上述饱和助熔剂溶液而在饱和助熔剂溶液中生成的。

10、根据权利要求9所述的方法,其中,上述饱和助熔剂溶液以3-70℃/hr的冷却速率冷却。

11、根据权利要求8所述的方法,其中,上述饱和助熔剂溶液保持在低于上述溶解温度大约10℃的温度下,将一基片浸入该饱和助熔剂溶液中,然后旋转该基片,从而在该基片上生成上述复合氧化物的晶体。

12、根据权利要求8所述的方法,其中,上述溶解温度是1026-1300℃。

13、根据权利要求12所述的方法,其中,上述溶解温度是1026-1100℃。

14、根据权利要求12所述的方法,其中,上述溶解温度是1100-1300℃。

15、根据权利要求8所述的方法,其中,上述助熔剂还包括Cu2O。

16、根据权利要求8所述的方法,其中,以固体形式出现的助熔剂对于复合氧化物没有溶解度或对溶解度有限制。

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