[其他]超导器件无效
申请号: | 88100514 | 申请日: | 1988-01-30 |
公开(公告)号: | CN88100514A | 公开(公告)日: | 1988-08-17 |
发明(设计)人: | 西野寿一;长各川睛弘;川辺潮 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | H01L39/00 | 分类号: | H01L39/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 李强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超导 器件 | ||
1、一种超导器件,包括:
一个衬底;
一个半导体或正常导体,它成形于所述衬底之上,由包含至少一种选自元素族Ba,Sr,Ca,Mg和Ra的元素;至少一种选自元素族La,Y,Ce,Sc,Sm,Eu,Er,Gd,Ho,Yb,Nd,Pr,Lu和Tb;Cu;和O;的钙钛矿型或K2NiF4型晶体结构的氧化物制成,以及
至少两个超导体,它们在与所述半导体或所述正常导体相接触而形成,相互分开以通过所述半导体或所述正常导体构成超导弱连接,由具有与所述半导体或所述正常导体相同的元素和晶体结构的氧化物制成。
2、根据权利要求1的一超导器件,其中:
所述半导体或所述正常导体是一成形于平整衬底上固定厚度的薄层;以及
所述超导体成形于具有固定厚度的所述半导体或所述正常导体之上,相互之间有一间隔。
3、根据权利要求1的一超导器件,其中所述超导体是通过将至少一种构成所述半导体或所述正常导体的元素以扩散或注入形式引入成形于所述平整衬底之上,具有固定厚度的所述半导体或所述正常导体,从而改变那里的组分的方式形成的。
4、根据权利要求1的一超导器件,其中所述超导体配合一半导体或正常导体以构成超导弱连接,它通过将至少一种构成所述超导体的元素以扩散或注入形式引入将成为所述超导体的超导体层的一部分以改变那里的组分的方式形成。
5、根据权利要求1的一超导器件,其中构成所述超导体和所述半导体或所述正常导体的氧化物材料的组分为Ba2x(1-x)CuO4(1-y。)
6、根据权利要求1的一超导器件,其中构成所述超导体和所述半导体或所述正常导体的氧化物材料的组分为Sr2xLa2(1-x)CuO4(1-y)。
7、根据权利要求1的一超导器件,其中构成所述超导体和所述半导体或所述正常导体的氧化物材料的组分为YBa2Cu3O7-x。
8、根据权利要求1的一超导器件,其中如以T表示所述器件的工作温度,Tc′表示所述半导体或所述正常导体的超导临界温度,则下式成立:
9、根据权利要求1的一超导器件,其中所述超导体之间的距离为在所述半导体或所述正常导体中的超导电子对的相干长度的3到10倍。
10、一种超导器件,包括
一个衬底;
一个半导体或正常导体,成形于所述衬底之上,由包含至少一种选自元素族Ba,Sr,Ca,Mg和Ra的元素;至少一种选自元素族La,Y,Ce,Sc,Sm,Eu,Er,Gd,Ho,Yb,Nd,Pr,Lu和Tb;Cu;和O的钙钛矿型或K2NiF4型晶体结构的氧化物制成;
至少与所述半导体或所述正常导体相接触的两个超导体,它们相互分开,通过所述半导体或所述正常导体形成超导弱连接,并由具有与所述半导体或所述正常导体的相同的元素和晶体结构的氧化物制成;以及
用以控制在所述超导体间流动的电流的控制装置,成形于所述半导体或所述正常导体上,并由一电绝缘膜与之分开。
11、根据权利要求10的一超导器件,其中:
所述半导体或所述正常导体为成形于所述平整衬底上的一层固定厚度的薄层;以及
所述超导体成形于具有固定厚度的所述半导体或所述正常导体之上,并且相互有一定间隔。
12、根据权利要求10的一个超导器件,其中所述超导体是以这样方式形成的;至少将一种构成所述半导体或所述正常导体的元素以扩散或注入的方式引入到,具有固定厚度的并成形于所述平整衬底的所述半导体或所述正常导体之中的改变那里的组分。
13、根据权利要求10的一超导器件,其中所述超导体配备有构成超导弱连接的,并通过至少将一种构成所述超导体的元素以扩散或注入的方式引入到将成为所述超导体的超导薄层的一部分以改变那里的组分的方式形成的所述半导体或所述正常导体。
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