[发明专利]高电荷密度的产生和控制无效
申请号: | 88100781.1 | 申请日: | 1988-02-10 |
公开(公告)号: | CN1034091A | 公开(公告)日: | 1989-07-19 |
发明(设计)人: | 肯尼思·R·肖尔德斯 | 申请(专利权)人: | 木星玩具公司 |
主分类号: | H01J3/02 | 分类号: | H01J3/02;G01R13/20;H04N5/225 |
代理公司: | 中国专利代理有限公司 | 代理人: | 吴秉芬,肖掬昌 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电荷 密度 产生 控制 | ||
1、一种离散的、带负电的、自容的电子束。
2、根据权利要求1的电子束,其特征在于:所述电子束的自容度是所述电子间建立在电磁场的一个函数。
3、一种离散的,通常未被正离子补偿而呈带负电荷的物态,它具有的电荷密度近似于固体的平均电荷密度。
4、根据权利要求3的物态,其特征在于:所述电荷密度约为1023个电子电荷/(厘米)。
5、一种离散的、带负电的、自容的电子束,所述电子束是利用一阴极和一阳极之间的一电场而产生的。
6、一种EV。
7、一种EV链。
8、一种利用一阴极和一阳极之间的电场所产生的EV链。
9、一种产生EV用的系统,它包括:
用以产生放电的装置,该放电中包含EV和选自由正离子,负离子,电子,中性粒子,光子,及其组合所组成的一组中的一种或多种粒子;以及
用以使所述EV与所述粒子分离的装置。
10、用以产生EV的设备,它包括:一个导电阴极和一个与所述阴极相分离的第二导电电极。
11、根据权利要求10的设备,其特征在于还包括位于所述阴极和所述第二导电电极之间呈普通平面形的电介质材料,以及其中所述阴极包括一个面向所述电介质材料一侧面的尖顶的金属构件,所述第二电极包括一个定位在所述电介质材料与所述阴极相反一侧的平面构件。
12、根据权利要求11的设备,其特征在于:所述尖顶的阴极包括一个用导电材料润湿,呈普通锥形的端部。
13、根据权利要求12的装置,其特征在于还包括一个用来提供润湿所述阴极的锥形端部的金属材料的容器。
14、根据权利要求10的设备,其特征在于还包括位于所述阴极和所述第二导电电极之间、呈普通平面形的电介质材料,以及其中所述阴极包括位于所述电介质材料一个侧面上的平面阴极,所述第二电极被定位在所述电介质材料的相反侧面上。
15、根据权利要求14的设备,其特征在于还包括一个含有定位在所述电介质材料上的所述平面阴极上方的一电介质构件的分离器,和一个位于伸向所述呈普通平面状的电介质材料的所述电介质构件上的第三导电电极。
16、根据权利要求14的设备,其特征在于还包括至少一个局部封闭的结构,作为所述电介质材料的一部分,所述平面阴极就定位在所述局部封闭结构内,而所述局部封闭结构用以接收和引导所述EV。
17、根据权利要求16的设备,其特征在于:所述引导结构包括一个限定至少一个引导EV的局部闭合径路的普通细长的结构。
18、根据权利要求17的设备,其特征在于还包括一个至少局部地复盖所述细长外壳的电介质材料的复盖物。
19、根据权利要求17的设备,其特征在于:所述产生EV用的设备是一选择器的其中一部分,该设备还包括:
a.一个在所述阴极和所述第二电极之间与所述第一引导结构锐角相交的普通是细长的第二引导结构;
b.一个沿所述第二引导结构定位的第三导电电极;以及
c.至少一个通常沿所述第一引导结构、在所述相交处与所述阴极相反的侧面上定位的引出电极;
d.其中加到所述第三电极上的电极将EV吸引到其上,以及加到所述至少一个引出电极上的电压使被选中的EV沿所述第一引导结构向所述相交处传播。
20、根据权利要求14的设备,其特征在于:所述阴极包括润湿子结构材料的导电材料。
21、根据权利要求14的设备,其特征在于:EV是由所述设备通过无热离子发射的场致发射而产生的。
22、根据权利要求14的设备,其特征在于还包括一个位于所述电介质材料同一侧上的所述阴极和所述第二电极之间,如同所述第二电极的控制电极。
23、根据权利要求22的设备,其特征在于:所述阴极包括润湿子结构材料的导电材料。
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