[其他]具有若干导电线路供传输高速信号用的电路

权利要求书

1、一种集成电路，包括一半导体本体，半导体本体具有多个电路元件，所述诸电路元件之间具有多个互连线，该集成电路的特征在于，所述半导体本体具有分层的结构，且至少有一个第一半导体层具有第一禁带宽度，第二半导体层具有大于所述第一禁带宽度的第二禁带宽度，所述第一和第二半导体层之间形成一个界面，且一两维电荷载流子气体在所述界面附近形成电流通路，而在足够低的温度下和在垂直于所述界面的方向上施加足够高的磁场分量时，所述电流通路变得具有超导电性，从而使所述电流通路的纵向电阻实质上降到零。

2、如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一半导体层包括砷化镓和砷化镓铟一组中的至少一种半导体材料，且所述第二半导体层包括磷化铟、砷化镓铟、砷化铝镓铟、砷化铝铟和磷化镓铟一组中的至少一种半导体材料。

3、如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述互连线的横向以注入的半导体区为界。

4、如权利要求1或2所述的集成电路，其特征在于，所述互连线的横向以扩散的半导体区为界。

5、如以上任一权利要求所述的集成电路，其特征在于，所述磁场分量小于7泰斯拉。

6、如以上任一权利要求所述的集成电路，其特征在于，所述二维载流子气是电子密度约为3×10¹¹/平方厘米的电子气。

7、如以上任一权利要求所述的集成电路，其特征在于，所述分层结构包括在半绝缘衬底上形成的厚度≤1微米但≥0.5微米的未掺杂砷化铝镓层、厚度≤1微米但≤0.5微米的未掺杂砷化镓层、厚度≤10毫微米但≥2毫微米的未掺杂砷化铝镓层、厚度≤50毫微米但≥5毫微米的掺有10¹⁸厘米^-3硅的砷化铝镓层和厚度≤50毫微米但≥5毫微米的掺有10¹⁸厘米^-3硅的砷化镓层。