[其他]超导器件

权利要求书

1、超导器件包括：

半导体主体或正常导体主体；并且

至少两个超导体直接生成在所述半导体或正常导体主体上，它们彼此分隔以便通过所述具有钙钛矿型或钾二镍氟四(K₂NF₄)型结构的半导体或正常导体和超导体构成超导弱连接。其中含有至少一种是从元素族，钡(Ba)锶(Sr)，钙(Ca)，镁(Mg)和镭(Ra)中选出的元素；至少一种是以元素族镧(La)，钇(Y)，铈(Ce)，钪(Se)，钐(Sm)，(Eu)，铒(Er)，钆(Tb)，钬(Ho)，镱(Yb)，钕(Nd)，镨(Pr)，镥(La)和(Tb)中选出的元素；铜(Ca)；和氧(O)；所述超导体的C-轴方向基本垂直于流径所述超导体电流的方向。

2、依据权利要求1的超导器件，其中：

所述半导体和正常导体主体二者都在平的基底上生成的厚度一定的膜;并且

所述超导体也是在半导体或正常导体主体上面生成的具有一定的厚度，并且其间留有一定的间隙。

3、依据权利要求2的超导体，还包括一层用于防止上述超导体的超导特性变化的保护膜，这层膜是在所述半导体或正常导体主体上和所述超导体上生成的。

4、依据权利要求2的超导体，还包括用于控制流径上述超导体之间的电流的控制方法，这种控制方法是在所述半导体和正常导体主体上生成而且将这两个超导体彼此隔离的电绝缘膜。

5、依据权利要求1的超导器件，其中：

所述超导体是在平的基底上生成的厚度一定的膜，并且其间留有一定间隙，及

所述半导体和正常导体主体二者之一是生成在所述超导体和所述基底上的，并且生成在所述间隙位置上。

6、依据权利要求1的超导器件，其中所述超导体彼此分隔的间距是所述半导体和正常导体主体中相干长度的3-10倍。

7、依据权利要求1的超导器件，其中所述超导具有三明治型结构，在这种结构中，超导体将所述半导体或正常导体主体夹在中间。

8、依据权利要求1的超导器件，其中所述半导体或正常导体主体是由氧化物制备成，它们包含与所述超导体共同的元素和同样的晶体结构。

9、依据权利要求1的超导器件，其中所述每一个超导晶体的C-轴基本上都平行于所述半导体或正常导体主体与在所述超导弱连接处的所述超导体之间的接触平面。

10、依据权利要求1的超导器件，其中所述一个超导晶体的C-平面都基本垂直于所述半导体或正常导体主体同在超导弱连接处的超导体之间接触的表面。

11、依据权利要求10的超导器件，进一步包括用于控制流径所述超导体之间电流的控制方法，这种方法就是在半导体或正常导体主体上，形成一层能将两超导体彼此分开的电绝缘膜。

12、依据权利要求1的超导器件，其中包括：

所述半导体或正常导体主体上有一凸状结构，并且

在所述半导体或正常导体主体上，通过一层电绝缘膜与所述凸状结构侧表面接触，并在将凸状结构夹在中间的电绝缘膜上生成所述超导体。

13、依据权利要求1的超导器件，进一步包括用于控制流径所述超导体之间的电流的控制方法，这种方法之形成以使至少覆盖是在所述凸状结构的上表面上的一部分，并由电绝缘膜使其分隔开。

14、依据权利要求2的超导器件，其中所述基底的主表面基本上垂直于其晶体自身的C-轴。

15、依据权利要求14的超导器件，所述半导体和正常导体主体之一和所述超导体的C-轴都沿所述基底的C-轴方向定向。

16、超导器件包括：

基底;

至少在所述基底上生成一种超导体，这种超导体具有钙钛矿或钾二镍氟四（K₂NiF₄）结构的氧化物生成。其中含有至少一种是从元素族钡（Ba），锶（Sr），钙（Ca），镁（Mg）和镭（Ra）中选出的元素;至少一种是从元素族镧（La），钇（Y）铈（Ce），钪（Sc）钐（Sm），（Ea），铒（Er），钆（Gd），钬（Ho），镱（Yb），钕（Nd），镨（Pr），镥（Lu）和（Tb）中选出的元素;铜（Cu）和氧（O）;还有所述超导体的C-轴方向基本垂直于流径所述超导体所述电流的方向。