[发明专利]动态随机存取存储单元制造方法

权利要求书

1、一种形成存储单元的方法，包括：

在基片中形成沟槽，

用介电材料覆盖所述的沟槽的表面，

用导电材料填满所述的沟槽，

蚀刻所述的导电材料使导电材料的高度降低到所述沟槽内所述基片与外延层转变区附近，

用绝缘材料填满所述沟槽的其余部份，

在所述的沟槽开口处形成掺杂漏极区，

形成为露出所述沟槽的一部分侧壁的蚀刻掩膜图案，

采用各向异性蚀刻工艺蚀刻所述的绝缘材料，形成一直至所述的导电材料的窗口或开口，

在基片中形成源极区，所述源极区和所述的导电材料有电气接触，

在所述对绝缘材料的各向异性蚀刻所暴露出的沟槽侧壁上形成栅极绝缘层，以及，

用栅极导电材料填充这样形成的开口，以提供控制所述的源极区和所述的漏极区之间导通的栅极。

2、如权利要求1的方法，其中，所述的沟槽成直角平行六面体，其主轴垂直于所述的基片表面。

3、如权利要求1的方法，其中，所述的沟槽在所述的基片内具有8微米的深度。

4、如权利要求1的方法，其中，所述的导电材料是多晶硅。

5、如权利要求1的方法，其中，所述的导电材料包括掺杂原子。

6、如权利要求5的方法，其中，所述的源极通过下列方法形成：

除去在所述的导电层和所述的基片之间的一部分所述的介电材料，

用导电接触材料填充由所述的介电层的除去部分所空出的区域，在加热下所述的掺杂原子通过导电接触材料扩散，以及，

加热整个结构，以通过所述接触导电材料扩散所述的掺杂原子，从而在所述的基片内产生所述的源极区。

7、一种形成存储单元的方法，包括：

在基片中形成沟槽，

用介电材料覆盖所述的沟槽表面，

用导电材料填满所述的沟槽，

形成露出所述的沟槽一部分侧壁的蚀刻掩膜，

用绝缘材料填满所述的沟槽的其余部分，

除去所述的蚀刻掩膜，

在所述的沟槽开口处形成掺杂漏极区，

蚀刻原来由所述的蚀刻掩膜覆盖的导电材料，使其高度下降至所述的沟槽内，

在基片内形成源极区，所述源极区和所述的导电材料有电气接触，

在蚀刻所述的导电材料的覆盖部分后所露出的沟槽侧壁上形成栅极绝缘层，以及，

用栅极导电材料填充所产生的开孔，以形成控制所述的源极区和所述的漏极区之间的导通的栅极。

8、如权利要求7的方法，其中，所述的沟槽成直角平行六面体，其主轴垂直于所述的基片表面。

9、如权利要求7所述的方法，其中，所述的沟槽在所述的基片内的深度为8微米。

10、如权利要求7所述的方法，其中，所述的导电材料是多晶硅。

11、如权利要求7所述的方法，其中，所述的导电材料包括掺杂原子。

12、如权利要求11的方法，其中，所述的源极通过下列方法形成;

除去所述的导电层和所述的基片之间的一部分所述的介电材料，

用导电接触材料填充由所述的介电层的除去部分所空出的区域，所述的掺杂原子在加热下通过导电接触材料扩散，以及，

加热整个结构，以通过所述导电接触材料扩散所述的掺杂原子，由此在所述的基片内产生所述的源极区。