[发明专利]超导半导体器件

权利要求书

1、一种利用超导连接导线的半导体器件，它包括一半导体基片，至少一个在所说基片内形成的半导体元件以及在所说基片上形成所说超导连接导线，其特征在于，所说超导连接导线包括氧化铜超导材料，该材料的临界温度不低于液氮的温度，且所说器件可在液氮温度下工作。

2、根据权利要求1的半导体器件，其特征在于该连接导线被连接到所说的至少一个半导体元件的端部。

3、根据权利要求2的半导体器件，其特征在于该连接导线还被连接到在所说基片内形成的另一半导体元件。

4、根据权利要求1的半导体器件，其特征在于该半导体基片是单晶硅半导体。

5、根据权利要求1的半导体器件，其特征在于所说基片含有一个包括Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物的部分，所说至少一个半导体元件即形成在该部分中。

6、一种制造如权利要求1所述的半导体器件的方法，包括下列步骤：

制备一半导体基片;

在所说基片内形成至少一个半导体元件;

用选自溅射、印制、蒸发和汽相沉积中的一种方法以在所说基片上形成一超导体层;以及

有选择地刻蚀所说超导体层以刻蚀出所说超导体层图形，以便形成超导连接导线。

7、根据权利要求6的方法，其特征在于刻蚀所说超导体层的步骤是用光刻法完成的。

8、根据权利要求6的方法，其特征在于它还包括在该刻蚀步骤前或后的500-1000℃的温度下退火热处理所说层的步骤。

9、根据权利要求8的方法，其特征在于该退火热处理的步骤是在氧的气氛中实施的。