[其他]超导半导体器件无效
| 申请号： | 88101268 | 申请日： | 1988-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN88101268A | 公开（公告）日： | 1988-09-28 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L39/02 | 分类号： | H01L39/02;H01L39/24;H01L23/52 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,何关元 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超导 半导体器件 | ||
1、一种超导半导体器件，其特征在于，该器件包括一半导体基片、在该基片内有至少一半导体元件和在基片上有由超导材料制成的连接导线。
2、如权利要求1所述的超导半导体器件，其特征在于，所述连接导线系用以将所述的半导体元件连接到至少其中一个供外部电气信号用的输入和输出端子上。
3、如权利要求1所述的超导半导体器件，其特征在于，所述连接导线用以将一个半导体元件连接到另一个半导体元件上。
4、如权利要求1所述的超导半导体器件，其特征在于，所述超导材料由陶瓷材料制成。
5、如权利要求1所述的超导半导体器件，其特征在于，所述半导体基片是单晶硅半导体。
6、如权利要求1所述的超导半导体器件，其特征在于，在具有Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的基片区中形成有多个半导体元件。
7、如权利要求4所述的超导半导体器件，其特征在于，所述陶瓷材料包含铜和氧。
8、一种制造超导半导体器件的方法，其特征在于，该方法包括下列工序：制备一半导体基片，在所述基片中制备至少一半导体元件，然后在基片上制备由超导材料组成的连接导线。
9、如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述连接导线用以将所述半导体元件连接到供外部电气信号用的输入的输出端子上。
10、如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述连接导线用以将一个半导体元件连接到另一个半导体元件上。
11、如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述超导材料是由陶瓷材料制成的。
12、如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述连接导线的陶瓷材料是用溅射法敷到半导体基片上或敷到基片上的绝缘薄膜或布线上形成的。
13、如权利要求12所述的方法，其特征在于，该方法还包括下列工序：用光刻法有选择地刻蚀陶瓷材料，在刻蚀工序之前或之后对所述陶瓷材料在500℃至1000℃下进行退火处理。
14、如权利要求13所述的方法，其特征在于，退火处理工序是在氧化氧气中进行的。
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