[其他]复合电阻及其制造方法

权利要求书

1、一种制造复合电阻的方法，它包括下列工序：

形成所述复合电阻的第一部分，所述第一部分具有第一电阻值和第一电阻温度系数；

形成所述复合电阻的第二部分，所述第二部分具有第二电阻值和第二电阻温度系数，所述第二电阻值不同于所述第一电值阻，而所述第二电阻温度系数不同于所述第一电阻温度系数并与所述第一电阻温度系数的方向相反；

去除所述两部分之一中的一些部分，直至所述第一和第二部分的合成电阻温度系数基本为零。

2、一种制造复合电阻的方法，它包括下列工序：

形成所述复合电阻的第一部分，所述第一部分具有第一电阻值和第一电阻温度系数;

形成所述复合电阻的第二部分，所述第二部分具有与所述第一电阻值不同的第二电阻值，且具有与所述第一电阻温度系数不同且方向相反的第二电阻温度系数;

去除所述第二部分中的一些部分，直至所述第一和第二部分的合成电阻温度系数稍大于零;

去除所述第一部分的一些部分，直至所述第一和第二部分的合成电阻温度系数基本为零。

3、根据权利要求1和2的方法，它包括下列工序：

气密封接所述第一和第二部分;

在所述气密封接工序后去除所述第一或第二部分中的一些部分。

4、一种制造复合电阻的方法，它包括下列工序：

在一块基片上沉积一种电阻材料;

在所述电阻材料上沉积一种较低电阻的材料;

去除所述较低电阻材料的一部分，以形成一个具有第一电阻值和第一正电阻温度系数的调整部分;

去除所述电阻材料的一部分，以形成一个与所述调整部分相连的电阻部分，所述电阻部分具有实质上大于所述第一电阻值的第二电阻值以及具有实质上小于所述第一正电阻温度系数的负电阻温度系数;

测量所述复合电阻的电阻温度系数;

去除所述两种电阻材料之一中的一些部分，直至测出所述复合电阻的电阻温度系数基本为零。

5、一种制造复合电阻的方法，它包括下列工序：

在一块基片上沉积一种电阻材料;

在所述电阻材料上沉积一种较低电阻材料;

去除所述较低电阻材料的一部分，以形成一个具有第一电阻值和第一正电阻温度系数的调整部分;

去除所述电阻材料的一部分，以形成第一和第二电阻部分，所述两个电阻部分中至少有一个电阻部分连接到所述调整部分，所述两个电阻部分中的所述一个电阻部分具有实质上大于所述第一电阻值的阻值以及实质上小于所述正电阻温度系数的负电阻温度系数;

测量所述电阻部分之一和所述调整部分与所述其它电阻性部分之间的比例电阻温度系数;

去除所述较低电阻材料的一些部分;

重覆所述测量和所述去除工序，直至所述比例电阻温度系数基本为零。

6、根据权利要求4和5的方法，它包括：

在测量所述电阻温度系数的工序之前，气密封接所述调整部分和所述电阻部分;

在测量所述电阻温度系数的工序之后用激光去除某些部分。

7、一种制造复合电阻的方法，它包括下列工序：

在一块基片上沉积一种较高电阻薄膜材料;

在所述较高电阻材料上沉积一种较低电阻薄膜材料;

去除所述较低电阻材料的一部分，以形成一个具有第一电阻值和正电阻温度系数的调整部分;

去除所述高电阻材料的一部分，以形成一个连接于并至少部分处于所述调整部分的下面的电阻部分，所述电阻部分具有实质上大于所述第一电阻值的第二电阻值以及实质上小于所述正电阻温度系数的负电阻温度系数;

测量所述电阻部分和调整部分的电阻温度系数;

去除所述较低电阻材料的一些部分;

重覆所述测量和去除工序，直至测得电阻温度系数在正或负0.5ppm/℃范围内。

8、根据权利要求9的方法，其中多次重覆所述测量和去除工序，直至测得电阻温度系数为绝对零。