[其他]太阳能电池

权利要求书

1、一种例如由硅半导体材料制成的薄膜太阳能电池(19，20，30)，其半导体基片(1，6，12，13)中的少数和多数载流子由辐射能产生，所述两种载流子通过电场可分离并也可放电，其各欧姆接触(4，10，16)配置在(第一)半导体基片表面的各区间，并彼止相互链接，从而其钝化层(5，11，18)至少配置在所述各欧姆接触之间，其特征在于使少数和多数载流子分离的电场在被设置于载有欧姆接触区的第一半导体基体表面的对面的(第二)半导体基体表面附近中，因此多数载流子扩散到汇集所述载流子的各欧姆接触区，而且欧姆接触(4，10，16)配置在第一半导体基片表面的各第一区(21，23，25)上，该表面高于各欧姆接触间的各现有的第二区(22，24，26)。

2、根据权利要求1的太阳能电池，其特征在于：被直接涂敷到该半导体基片的各欧姆接触被钝化层复盖。

3、根据权利要求1的太阳能电池，其特征在于：分离少数和多数载流子的电场是由在与含有各电荷的绝缘薄层（9）相连系的第二基体表面上所形成的各MIS接触（6，7，8）产生的。

4、根据权利要求1的太阳能电池，其特征在于：各欧姆接触被直接涂敷到半导体基片，并且不需要通过势垒对少数载流子进行屏蔽。

5、根据权利要求1的太阳能电池，其特征在于：使各欧姆接触（4，10，16）的半导体基片（1，6，12）对面（27，28，29）隔离的间距大于各少数载流子的扩散长度。

6、根据权利要求1的太阳能电池，其特征在于：使第二区域外表面（22，24，26）和半导体基片（1，6，12）的对面（27，28，29）隔离的间距小于、并且最好是显著小于少数载流子的扩散长度。

7、根据权利要求1的太阳能电池，其特征在于：主要决定半导体基片（1，6，12，13）稳定性的各升高的第一区域（21，23，25）的横截面呈梯形、矩形或弧形。

8、根据权利要求1的太阳能电池，其特征在于：在平面图上顶端（31）上配置有带有各欧姆接触（4，10，16）的升高的各第一区域（21，23，25）呈梳状、网状或环形结构。

9、根据权利要求8的太阳能电池，其特征在于：环形结构由以径向延伸方式、同心配置的各环构成。

10、根据权利要求1的太阳能电池，其特征在于：半导体基片（1，6，12）是一种单晶（100）或（110）面定向硅或多晶硅或复合半导体（Ⅲ/Ⅴ，Ⅱ/Ⅳ等）基片。

11、根据权利要求1的太阳能电池，其特征在于：各第一和/或第二区域（21，22，23，24，25，26）至少在各欧姆接触（4，10，16）的外侧构成纹理结构。

12、根据权利要求1的太阳能电池，其特征在于：各欧姆接触（4，10，16）的间距大于各第二区域（22，24，26）和在其对面的半导体基片（1，6，12）一面（27，28，29）之间的距离。

13、根据权利要求12的太阳能电池，其特征在于：在平面图上，各欧姆接触（4，10，16）呈指状结构，各指间距离为1mm～5mm，所说各指的宽度为50μm～300μm。

14、根据权利要求1的太阳能电池为氮化硅反型层太阳能电池（20）时，各MIS接触（6，7，8）位于各欧姆接触（10）的对面，其特征在于：使各MIS接触（6，7，8）的按顺序排列的各金属层（8）分离的间距比各欧姆接触（10）的间距可小至1/50，最好小至1/20～1/2。

15、根据权利要求14的太阳能电池，其特征在于：各金属（8）的间距为50μm～1mm，各欧姆接触（10）的间距为1mm～5mm。

16、由半导体材料硅制造太阳能电池的方法，其半导体基片中的多数和少数载流子由辐射能产生并通过电场可分离和可放电，从而各欧姆接触区在半导体基片的一面上间隔配置，但还是相互链接，其钝化层至少配置在所述各欧姆接触区之间，其特征在于：

-将掩模涂在半导体基片的一面上，所说掩模限定各欧姆接触区，

-通过刻蚀除去未被掩模复盖的各区，

-半导体基片经过加工的一面再涂以钝化层。