[发明专利]掺铟混晶锌扩散源无效
| 申请号： | 88102204.7 | 申请日： | 1988-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN1037051A | 公开（公告）日： | 1989-11-08 |
| 发明（设计）人： | 杜国同;马晓宇 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;C30B31/00;C30B35/00 |
| 代理公司： | 吉林大学专利事务所 | 代理人： | 崔丽娟 |
| 地址： | 吉林省*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺铟混晶锌 扩散 | ||
【权利要求书】：
1、一种锌杂质扩散源，其特征在于掺入铟使之形成均匀一体混晶。
2、一种按照权项要求1所述的混晶扩散源，其特征在于由原子百分比为5～10∶50∶45～40的In∶As∶Zn三元构成。
3、一种按照权项要求1所述的混晶扩散源，其特征在于由原子百分比为5～15∶40～30∶5∶50的In∶Zn∶Ga∶As四元构成。
4、一种按权项要求2、3所述的混晶扩散源，其特征在于最佳最快的配制方法是，将称量并清洗好的几种单质材料真空封入石英管内，将石英管缓慢（10～15分）推入加热炉高温区（1100℃左右），并晃动使之化合（混合）均匀后，迅速取出投入冷水中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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