[其他]铝钛薄膜电阻温度传感器及制备方法

权利要求书

1、铝钛薄膜电阻温度传感器由金属管座1、芯片2、绝缘氧化硅衬底3、钛膜4、铝膜5、硅铝丝6、引出线7和管帽构成，其特征在于采用在绝缘氧化硅衬底3上淀积有蚀刻成弯曲条状图案的钛膜4、铝膜5双层薄膜结构、铝钛薄膜的电阻值为600～1300Ω，电阻正温度系数约为4200×10^-6/℃，在正200℃～负200℃的温度范围内最大非线性度小于0.5%。

2、根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于钛膜4的厚度为500～700埃，铝膜厚度为4000～7000埃，钛膜4和铝膜5的宽度为4～6μm，长宽比为（1.2～1.9）×10⁴。

3、根据权利要求1、2所述的温度传感器，其特征在于钛膜4、铝膜5双层薄膜组成弯曲条状图案线条的1/10和1/5处各有一个外引线键合点。

4、根据权利要求1、2、3所述的铝钛薄膜电阻温度传感器的制备方法，包括氧化、蒸发、光刻、划片、烧结或共晶焊接、键合、封装和老化处理，其特征在于用光刻法和腐蚀法（干法和湿法）将钛膜4、铝膜5双层薄膜蚀刻成弯曲条状图案，金属线条的蚀刻误差不超过±1μm，在弯曲条状图案线条的1/10和1/5处各增设一个外引线键合点。

5、根据权利要求4所述的温度传感器的制备方法，其特征是在10^-5～10^-6乇的真空中，将纯度为大于99.97%的钛和铝金属用电阻加热蒸发，或电子束蒸发，或溅射方法，先后淀积钛膜4和铝膜5在氧化硅绝缘衬底3上，淀积速率控制在每秒3埃～25埃之间，钛膜4的厚度为500～700埃，铝膜厚度为4000～7000埃，钛膜4和铝膜5的淀积要在同一真空室内一次完成。

6、根据权利要求4所述的温度传感器的制备方法，其特征在于金属管座1、管帽经高温焙烧后，在室温下相对湿度低于15%的干燥氮气体中进行，封装完成并且测试合格后，在250℃温度中进行1小时的老化处理。