[其他]超导陶瓷图案及其制造方法

权利要求书

1、一种超导氧化物陶瓷图案，其特征在于它包含至少一个掺杂区和剩下的其他非掺杂区，所述掺杂区的电子结构由于包含掺杂物而已经变形，使得它们在非掺杂区的临界温度点呈现正常的导电性。

2、权利要求1的图案，其特征在于：所述杂质以氧化的形式含于所述区中。

3、权利要求1的图案，其特征在于：该图案是在半导体基片上形成的。

4、权利要求3的图案，其特征在于：所述半导体基片包含通过所述超导图案而相互连接的各电子器件。

5、权利要求4的图案，其特征在于：由所述器件和所述超导图案构成的电路至少包含一个由所述掺杂区构成的电阻。

6、权利要求1的图案，其特征在于：所述掺杂区仍是一种超导薄膜，但具有比非掺杂区低的Tco。

7、权利要求1的图案，其特征在于：所述杂质是从Si，Al，Mg，Ga，Ge，Ti，Zr，Fe，Ni，Co，B和P中选择的一个或几个元素。

8、权利要求7的图案，其特征在于：所述掺杂物的杂质密度是5×10¹⁵至2×10²²原子/Cm³。

9、一种产生超导氧化物陶瓷的方法，它包括，

-按照超导性所需要的成份，在基片上生成氧化物陶瓷薄膜以及

-将杂质掺入所述陶瓷薄膜的一部分中，

其特征在于所述方法包括必要的处理，使所述陶瓷薄膜具有超导结构，结果，所述掺杂改变了所述掺杂区的Tc。

10、权利要求9的方法，其特征在于进一步包括所述陶瓷薄膜的图案形成步骤。

11、权利要求9的方法，其特征在于：选择掺杂密度，使它高于所述陶瓷薄膜的原始相应杂质密度。

12、权利要求11的方法，其特征在于：所述陶瓷薄膜的生成是这样进行的，使得所述原始杂质密度被限制在不高于百万分之100。

13、权利要求9的方法，其特征在于进一步包括掺杂后的、在氧化气氛中的热处理步骤。

14、权利要求9的方法，其特征在于：所述陶瓷薄膜的生成是用阴极真空喷镀法进行的。

15、权利要求9的方法，其特征在于：所述陶瓷薄膜的生成是用印刷法，电子束外延生长法或气相法进行的。

16、权利要求9的方法，其特征在于：所述杂质是从Si，Al，Mg，Ga，Ge，Ti，Zr，Fe，Ni，Co，B和P中选择的一种或几种元素。

17、一种生产超导氧化物陶瓷图案的方法，它包括：

-按照超导性所需要的成份，在基片上生成一层氧化物陶瓷薄膜，

-将杂质掺入所述陶瓷薄膜的一部分中，

其特征在于所述方法包括必要的、使所述陶瓷薄膜具有超导结构的处理步骤，并且结果，所述掺杂区由于所述掺杂而失去了超导结构。

18、一种产生超导氧化物陶瓷图案的方法，它包括：

-在基片上淀积氧化物陶瓷薄膜，以及

-将杂质掺入所述陶瓷薄膜的一部分中，

其特征在于：所述陶瓷薄膜经过烧制、以呈现所要求的超导特性，结果，所述掺杂部分获得低于所述陶瓷薄膜的未掺杂部分的Tc。