[其他]用粘土原料制备碳化硅晶须及其方法无效
申请号: | 88102366 | 申请日: | 1988-04-20 |
公开(公告)号: | CN88102366A | 公开(公告)日: | 1988-11-09 |
发明(设计)人: | 周毅;李凝芳 | 申请(专利权)人: | 武汉工业大学 |
主分类号: | C04B14/38 | 分类号: | C04B14/38;C04B14/32 |
代理公司: | 湖北省专利事务所 | 代理人: | 王玉华 |
地址: | 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 粘土 原料 制备 碳化硅 及其 方法 | ||
1、一种制备碳化硅晶须的方法,其特征在于用粘土原料作为硅源,碳黑作为碳源,采用(粘土+碳黑混合层)(a层)+碳黑层(b层)的分层工艺,装填在容器内,在非氧化性气氛下,于1350~1600℃加热2~6小时,在粘土+碳黑混合层中得到高Al2O3含量的残留层,晶须层与残留层易于分层。
2、根据权利要求1所述其特征在于粘土+碳黑混合层中的碳量为将粘土中的SiO2还原为SiO所需碳量与适量过量碳量之和。
3、根据权利要求1或2中所述,其特征在于晶须生长层中碳量为粘土+碳黑混合层总量的1~3倍。
4、根据权利要求1中所述,其特征在于对Al2O3含量较高的粘土(如高岭土、紫木节等),粘土+碳黑混合层在高温反应后为致密层,层间可以直接接触,还可以采用a,b,a,b,…多层工艺。
5、根据权利要求4中所述,其特征在于Al2O3含量较少,MgO,Fe2O3含量偏多的粘土(如膨润土)层间可直接接触,亦也可由带孔石墨隔板或带孔碳化硅隔板隔开。
6、根据权利要求1或4中所述,其特征在于高Al2O3含量的副产品可作为其它工业部门的原料。
7、根据权利要求1中所述,其特征在于装填反应物料的容器可为Al2O3质,也可用石墨质或碳化硅质材料。
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