[其他]多层超导电路衬底及其制备方法无效
申请号: | 88102545 | 申请日: | 1988-04-27 |
公开(公告)号: | CN88102545A | 公开(公告)日: | 1988-11-23 |
发明(设计)人: | 今中佳彦;町敬人;山中一典;横山博三;龟原伸男;丹羽纮一 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H05K3/40 | 分类号: | H05K3/40;H05K3/46;H05K1/03;H01L39/12;H01B12/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 超导 电路 衬底 及其 制备 方法 | ||
本项发明所涉及的是多层超导电路衬底,特别是适合于高速计算机如超大型计算机上使用的多层超导电路衬底及其制备工艺。使用在高速作业中的衬底,即要求衬底上的导电材料具有低电阻,又要求衬底上的绝缘材料具有低介电常数,以确保信号的有效传递。
用玻璃-陶瓷材料,即陶瓷和玻璃的复合材料(介电常数ε≈5)作为绝缘材料,用铜(电阻率为=1.7Ω·cm)作为导电材料,组成多层陶瓷衬底,这称之为高速作业衬底(例如,参见Yogyo Kyokai年会文集,1985年,第533页)。
日本免检专利第60-173885号,发表于1985年11月7日,描述了超导氧化物材料BaBiO3-6(0≤δ<0.5),其中低于50%的钡原子可由Sr、Pb、Sc、Y或某种镧系元素替换,该种超导氧化物材料的超导转变温度约为12k,同时该专利还描述了制备超导氧化物材料BaBiO3(0 δ<0.5)工艺。工艺包括:将Ba和Bi的两种化合物均匀地混合,在高于600℃温区的氧化气氛中煅烧混合原料;粉化煅烧过的坯体;将生成的粉末压成体材;在700℃温区高于10kg/cm2的氧压气氛中退火,以补偿煅烧时损失掉的大量氧成分。
业已知道如下的氧化物超导材料:
(1)La-Bg-Cu-O系列:
参考文献:
Bednorz:瑞士物理B(Z.Phys.B)1986年64卷等第189页;
Uchida:日本应用物理杂志(J.J.A.P)1987年26卷第一期L1;
Chu:物理评论通讯(Phys Rev.lett)1987年58卷第四期第405页
Jorgensen:物理评论通讯(Phys Rev lett)1987年58卷第十期1024页
(2)La-Sr-Cu-O系列
Cava:物理评论通讯,1987年58卷第四期408页
Mattheiss:物理评论通讯(Phys Rev lett)1987年58卷第十期1028页
(3)Y-Ba-Cu-O系列
Hor:物理评论通讯(Phys Rev lett)1987年58卷第九期911页;
Wu:物理评论通讯(Phys Rev lett)1987年58卷第九期908页。
具体地说
(1)La-Ba-Cu-O系列包括
(2)La-Sr-Cu-O系列包括
La1.9Sr0.1CuO4
La1.8Sr0.2CuO4:Tcf=28.5K,Tcm=33.1K,
Tco=36.5K
La1.7Sr0.3CuO4:Tcm=15K,Tco=35K
La1.925Sr0.075CuO4:Tcf=26.5K,Tcm=34K
Tco=52K
La1.85Sr0.15CuO4:Tcf=36K,Tcm=37.5K,Tco=40K
(3)Y-Ba-Cu-0系列包括
(Y0.6Ba0.4)2CuO4:Tcf=88.5K,
>77K,Tco≥100K
Y-Ba-Cu-O(由Keiichi Ogawa制备)
Tcf=77K,Tco=100K
Y-Ba-Cu-O(由分子研究所和Tohoku大学制备)
Tc=95K
Y0.4Ba0.6CuO3(由Kazumaza Togano制备)
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