[发明专利]一种固态开关器件无效
申请号: | 88102836.3 | 申请日: | 1988-05-17 |
公开(公告)号: | CN1017671B | 公开(公告)日: | 1992-07-29 |
发明(设计)人: | 徐鸿达 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L39/22 | 分类号: | H01L39/22 |
代理公司: | 中国科学院专利事务所 | 代理人: | 卢纪 |
地址: | 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 固态 开关 器件 | ||
本发明涉及一种固态开关器件,特别涉及一种用氧化物超导材料制成、能在室温下工作的固态高速开关器件。
现有固态开关器件多半是由半导体材料制成,它对材料与加工工艺的要求很高、成本昂贵,特别是目前在提高开关速度改善性能方面受到限制。
本发明的目的在于,利用一种易得的廉价材料经过简单的工艺步骤能够生产出开关速度更高、性能更好的固态开关器件,从而克服现有技术的缺陷。
本发明用氧化物超导材料作基体,在基体两端制作金属电极作为开关器件的引接端,并在两端之间淀积一层半导体膜和金属膜电极形成控制端。尽管氧化物超导体在液氮温区实现零电阻,但室温下它的电阻一般仍然较高,但在控制端一旦施加电压,氧化物超导体的两引接端立即导通,电压去除后又恢复为高阻。用这样的结构和方法制成的在室温下运用的开关器件,它的开关速度与控制灵敏度均比现有器件更加优越。此外,它还兼有制作简单,成本低廉的优点。
附图示出本发明用氧化物超导材料制备固态高速开关器件一项实施例的示意图。该实施例选用淀积在绝缘衬底(1)上的钇钡铜氧化物超导薄膜(2),在其两端各有一块金的薄膜电极(3),在中间淀积一块硅膜(4),硅膜上覆盖钛膜(5)和金膜(6)。
附图说明
附图为本发明用氧化物超导材料制备固态高速开关器件一项实施例的剖面结构示意图,其中1为绝缘衬底,2为钇钡铜氧化物超导薄膜,3为金薄膜电极引接端,4为硅膜,5为钛膜,6为金膜控制端。
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