[发明专利]一种固态开关器件无效

专利信息
申请号: 88102836.3 申请日: 1988-05-17
公开(公告)号: CN1017671B 公开(公告)日: 1992-07-29
发明(设计)人: 徐鸿达 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L39/22 分类号: H01L39/22
代理公司: 中国科学院专利事务所 代理人: 卢纪
地址: 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 固态 开关 器件
【说明书】:

发明涉及一种固态开关器件,特别涉及一种用氧化物超导材料制成、能在室温下工作的固态高速开关器件。

现有固态开关器件多半是由半导体材料制成,它对材料与加工工艺的要求很高、成本昂贵,特别是目前在提高开关速度改善性能方面受到限制。

本发明的目的在于,利用一种易得的廉价材料经过简单的工艺步骤能够生产出开关速度更高、性能更好的固态开关器件,从而克服现有技术的缺陷。

本发明用氧化物超导材料作基体,在基体两端制作金属电极作为开关器件的引接端,并在两端之间淀积一层半导体膜和金属膜电极形成控制端。尽管氧化物超导体在液氮温区实现零电阻,但室温下它的电阻一般仍然较高,但在控制端一旦施加电压,氧化物超导体的两引接端立即导通,电压去除后又恢复为高阻。用这样的结构和方法制成的在室温下运用的开关器件,它的开关速度与控制灵敏度均比现有器件更加优越。此外,它还兼有制作简单,成本低廉的优点。

附图示出本发明用氧化物超导材料制备固态高速开关器件一项实施例的示意图。该实施例选用淀积在绝缘衬底(1)上的钇钡铜氧化物超导薄膜(2),在其两端各有一块金的薄膜电极(3),在中间淀积一块硅膜(4),硅膜上覆盖钛膜(5)和金膜(6)。

附图说明

附图为本发明用氧化物超导材料制备固态高速开关器件一项实施例的剖面结构示意图,其中1为绝缘衬底,2为钇钡铜氧化物超导薄膜,3为金薄膜电极引接端,4为硅膜,5为钛膜,6为金膜控制端。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/88102836.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top