[发明专利]制磷掺杂源用的掺杂组合物及掺杂硅片的方法

权利要求书

1、一种掺杂组合物，用于制备掺杂源片，所述掺杂源片通过P₂O₅的汽相输送使硅片掺磷，且可在低温使用，所述掺杂组合物主要包括：

a)100目或更细的多晶陶瓷颗粒，其平均线性热膨胀系数在0-300℃时小于32×10^-7/℃，并主要由下述氧化物组成，其大约的摩尔百分数如下，

氧化物  摩尔百分数

P₂O₅45-75

Al₂O₃11-28

Ta₂O₅6.5-13

SiO₂0-20

La₂O₃0-7

其中P₂O₅+Al₂O₃+Ta₂O₅至少占该组合物的大约75%(摩尔)，

b)细碎的Al₂O₃颗粒，以及

c)磷酸水溶液，它与Al₂O₃反应形成陶瓷颗粒的胶粘剂。

2、一种掺杂硅片的方法，所述方法包括以下的步骤：

（A）制成掺杂源片，用于使硅片掺磷，所述源片由权利要求1所述的掺杂组合物制成，

（B）焙烧上述掺杂源片，通过P₂O₅的汽相输送，将磷扩散入硅片，从而在硅片上形成玻璃状层。

3、根据权利要求2的方法，其中还包括将步骤（A）中的源片进一步进行彻底干燥的步骤，使之产生抗水性并在操作过程中不易破碎。

4、根据权利要求2的方法，其中所述掺杂片在聚四氟乙烯模中成型，该片在模中经干燥后，取出并进行热处理。

5、根据权利要求3的方法，其中干燥步骤是在大约50-150℃进行，而焙烧步骤则在1050-1150℃下进行。

6、根据权利要求3的方法，其中还包括在源片上开槽的步骤。

7、根据权利要求6的方法，其中的开槽步骤是至少要在源上打四个成90°的槽，以防止片断裂。