[其他]在低温中应用含磷平面掺杂源

权利要求书

1、用于制备掺杂源片的掺杂组合物，这种掺杂源片可通过P₂O₅的汽相输运，将磷掺加到硅片上，而且可在低温中应用，此掺杂组合物包括：

a)细分散的多晶陶瓷颗粒，这种多晶陶瓷在0～300℃的平均线性热膨胀系数小于32×10^-7/℃，并主要由下述氧化物组成(摩尔百分比)：

氧化物  摩尔百分比

P₂O₅45～75

Al₂O₅11～28

Ta₂O₅6.5～13

SiO₂0～20

La₂O₃0～7

其中P₂O₅+Al₂O₃+Ta₂O₅至少占组成的75%(摩尔)，

b)Al₂O₃，以及

c)磷酸水溶液，它与Al₂O₃反应形成陶瓷颗粒的胶粘剂。

2、硅片掺杂的方法，此方法包括如下步骤：

（A）制成用于硅片掺磷的掺杂源片，此源片由一种组合物制成，此组合物包括：

（a）100目筛分或更细的陶瓷颗粒，其平均线性热膨胀系数在0～300℃小于32×10^-7/℃，该陶瓷由下述氧化物组成（摩尔百分比）：

氧化物  摩尔百分比

P₂O₅45～75

Al₂O₃11～28

Ta₂O₅6.5～13

SiO₂0～20

La₂O₃0～7

其中，P₂O₅+Al₂O₃+Ta₂O₅至少占组成的75%（摩尔），

（b）Al₂O₃，以及

（c）磷酸水溶液，它与Al₂O₃反应，形成陶瓷颗粒的胶粘剂，

（B）焙烧掺杂源片，使之在硅片上形成玻璃状层，这一玻璃状层是通过P₂O₅的汽相输运，将磷扩散进硅片中而形成的。

3、根据权利要求2的方法，其中还包括将步骤（A）中的源片进一步干燥的步骤，足以使之产生抗水性并在操作过程中不易破碎。

4、根据权利要求2的方法制备的掺磷硅片。

5、根据权利要求2的方法，其中掺杂片在氟碳聚合物模中成型，该片在模中干燥后，取出进行热处理。

6、根据权利要求3的方法，其中干燥步骤在60～140℃下进行，而焙烧步骤则在1050～1150℃下进行。

7、根据权利要求3的方法，其中还包括在源片上开槽的步骤。

8、根据权利要求7的方法，其中的开槽步骤是在至少90℃下进行，以防止片的断裂。

9、根据权利要求4的硅片，此制成的硅片有较厚的玻璃状层和较低的层电阻。

10、根据权利要求3中的方法，其中玻璃状层厚度约为200～2000。

11、根据权利要求3的方法，其中此片的层电阻在沉积时间为一小时左右时为2.5～3.0欧/方。

12、根据权利要求2的方法，其中掺杂硅片的层电阻约为1.5～300欧/方。

13、根据权利要求2的方法，其中掺杂硅片的层电阻约为2.5～75欧/方。

14、根据权利要求1的掺杂组合物制成的掺杂源片。