[发明专利]用等离子体加强氧化硅淀积作用的方法

权利要求书

1、一种淀积附着的氧化硅基薄膜的方法，其特征在于包括：

提供一种含有汽化的有机硅化合物，氧气和惰性气体的气流，

在预先抽空的反应室中产生来源于所述气流的辉光放电等离子体，该反应室含有在等离子体中可移动位置的基片，以及

将所述气流注入等离子体中，以便在位于该等离子体中适当位置的基片上淀积氧化硅，所淀积的氧化硅是所述气流的反应产物，在淀积过程中，所述反应室保持低于大约100微米的压强。

2、如权利要求1中的方法，其特征在于进一步包括：在淀积过程中，至少对邻接所述基片的一部分等离子体进行磁约束，以增加该处的离子流量。

3、如权利要求1中的方法，其特征在于：注入所述等离子体中的所述有机硅化合物具有可调节的控制量。

4、如权利要求3中的方法，其特征在于：注入所述等离子体中的所述气流的有机硅化合物和氧气具有大约1.2∶1至大约1∶1.8之间的流率比值，以及，注入所述等离子体中的气流的惰性气体是氦气和氩气，所述氦气和氩气具有能够有效地提高淀积速率以及所淀积氧化硅的硬度的数量。

5、如权利要求1的方法，其特征在于：所述惰性气体是氦气，以及注入所述等离子体中的气流包括具有从大约1.2∶1至大约1∶1.8的比值范围的有机硅化合物和氧以及具有从大约1∶1.5至1∶2.3的比值范围的有机硅化合物和氦。

6、如权利要求1或5中的方法，其特征在于：所述有机硅化合物是1，1，3，3-四甲基二硅氧烷，六甲基二硅氧烷，乙烯基三甲基硅烷，甲基三甲氧基硅烷，乙烯基三甲氧基硅烷，或六甲基二硅氮烷。

7、如权利要求1中的方法，其特征在于：所淀积的氧化硅基本上是无机的。

8、如权利要求1中的方法，其特征在于：所述惰性气体是氦气，所述气流含有少量丙烯，以及所淀积的氧化硅含有部分碳。

9、如权利要求1中的方法，其特征在于：所述气流含有少量氮或一氧化二氮，以及所淀积的氧化硅含有部分氮。

10、如权利要求1中的方法，其特征在于：淀积过程中，所述反应室的压强保持在大约20微米至大约100微米之间。

11、如权利要求10中的方法，其特征在于：淀积过程中，所述反应室的压强保持在大约43微米至大约49微米之间。

12、如权利要求1中的方法，其特征在于：淀积过程中，把所述基片送进和送出所述等离子体。

13、一种在预先抽空的反应室中，借助于辉光放电淀积硬质的、基本上无机的氧化硅基薄膜的方法，其特征在于包括：

使有机硅组分汽化，接着，在所述反应室外面，把所述汽化的有机硅组分与氧气组分以及惰性气体组分混合，以产生一种气流，

在反应室中产生来源于一种或多种气流组分的辉光放电等离子体，

把所述气流可控地注入所述等离子体中，同时，至少约束其中的一部分等离子体，以及

把基片送进和送出所述等离子体，使基片邻接所述受约束的等离子体。

14、如权利要求13中的方法，其特征在于：所述有机硅组分是1，1，3，3-四甲基二硅氧烷，六甲基二硅氧烷，乙烯基三甲基硅烷，甲基三甲氧基硅烷，乙烯基三甲氧基硅烷，或六甲基二硅氮烷。

15、如权利要求13中的方法，其特征在于：所述惰性气体组分是氦气，以及所述气流中的有机硅组分和氧气的气体流量比值是大约1.2∶1至1∶1.8，而所述有机硅组分和氦气的气体流量比值是大约1∶1.5至1∶2.3。

16、如权利要求13中的方法，其特征在于：在所述气流流动期间，所述反应室的压强保持在大约20微米至大约100微米之间。

17、如权利要求13中的方法，其特征在于：借助于非平衡磁控管来约束所述等离子体。

18、如权利要求17中的方法，其特征在于：真空泵与所述反应室是流体连通的，而与所述磁控管是空间隔离的，以及，使所述气流在所述真空泵的上游和所述磁控管的下游流入所述等离子体中。

19、如权利要求13中的方法，其特征在于：在所述传送期间，所述基片具有低于80℃的温度。