[发明专利]三硼酸锂大单晶的生长方法

权利要求书

1、一种高温熔剂籽晶技术生长LBO单晶体的方法，以Li₂O·3B₂O₃的化学组成计算溶质，以B₂O₃或改性的B₂O₃作溶剂，溶质和溶剂的重量比为100∶20～100∶150，溶质和溶剂的混合物于860℃以上熔化，澄清在5个小时以上，然后降温至834℃以下，放入LBO籽晶，下籽晶的温度在834℃以下，籽晶可下在熔体面上，也可悬浮在熔体面上，晶体生长期间，熔体开始降温，降温速度小于3℃/天，在晶体生长过程中应保持籽晶和熔体有适当的相对运动，即使籽晶旋转或坩埚旋转或籽晶，坩埚同时以相反的方向旋转，熔体中晶体生长区和熔体底部应有一定的温差，生长周期结束，进行退火处理，其特征在于籽晶在熔体中生长两天之后开始向上提拉，向上提拉的速度每天不超2mm，B₂O₃熔剂的改性剂可使用LiF等氟化物，改性剂的用量为作为熔剂的B₂O₃的量的0～50%。

2、按照权利要求1所规定的方法，其特征在于制备晶体生长的原料在生长炉外进行，将包含有挥发成分的溶质和溶剂的配料如Li₂CO₃、LiNO₃LiOH₃H₃BO₃等经炉外分解熔化，冷却，粉碎，再用于晶体生长。

3、按照权利要求1所规定的方法，其特征在于所说的长成的晶体提离熔体后迅速地转移至另一个相同温度的退火炉中降温处理，而晶体生长炉不用降温就可继续进行下一周期的单晶生长。

4、按照权利要求1的方法，其特征在于氟化物改性剂的用量不超过25%。