[发明专利]碳化硅的制取方法无效
| 申请号： | 88105168.3 | 申请日： | 1988-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN1042522A | 公开（公告）日： | 1990-05-30 |
| 发明（设计）人： | 冯乃祥;徐秀芝;李席梦 | 申请（专利权）人： | 东北工学院 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 东北工学院专利事务所 | 代理人： | 安宇宏 |
| 地址： | 辽宁省沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制取 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种以焦炭、石英砂、工业用纯氯化钠和木屑为原料制取碳化硅晶体的方法，方法中包括配料、装料、出炉等工艺过程，其特征是在石墨化炉的保温层内装入一定厚度的碳化硅反应料。
2、根据权利要求1所说的制取碳化硅晶体的方法，其特征在于，方法中所说的在石墨化炉的保温层内装入一定厚度的碳化硅反应料是指将反应料置于保温层内层，保温层外层装入一定厚度的乏料，装料结束后将预先放置在电极装料室与反应料层间及反应料层与乏料层间的隔板提出。
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