[发明专利]一种金属氧化物半导体场效应晶体管无效
| 申请号： | 88105537.9 | 申请日： | 1988-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1012117B | 公开（公告）日： | 1991-03-20 |
| 发明（设计）人： | 龙伟;徐元森 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 主分类号： | H01L29/784 | 分类号： | H01L29/784 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 沈德新 |
| 地址： | 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1、一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括一个第一导电类型的衬底、一个第二导电类型的源区、一个第二导电类型的漏区、一个栅氧化层以及栅极，衬底为元素半导体硅，源、漏区由离子注入掺杂P型硅或掺杂N型硅组成，其特征在于栅氧化层和硅之间的界面为单原子级平整，界面电荷数在1×1010/厘米2量级范围。
2、根据权利要求1所述的金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于硅晶体管器件中的砷、硼、磷等杂质再分布在200以内。
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