[发明专利]四硼酸锂(LBO)单晶的坩埚下降法生长无效
| 申请号： | 88105599.9 | 申请日： | 1988-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1015920B | 公开（公告）日： | 1992-03-18 |
| 发明（设计）人： | 范世 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B11/14 |
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 聂淑仪 |
| 地址： | 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硼酸 lbo 坩埚 下降 生长 | ||
【权利要求书】：
1、一种坩埚下降法生长四硼酸锂单晶(Li12B4O7；LBO)的技术，包括：
(1)晶种沿<001>，<100>，<110>，<210>等取向；
(2)高纯LBO粉料经静水压或模压成型，成压块；
(3)压块置铂金坩埚内在950～1100℃下熔化；
其特征在于：
①压块密度为0.9-1.4克/厘米3；
②所用铂金坩埚壁厚为0.08-0.15毫米；
③垂直于生长方向的晶种横截面积与生长晶体的横截面积之比为≥15%；
④以≤0.3毫米/小时的速度作坩埚下降。
2、根据权利要求1的LBO单晶生长方法，其特征在于所述的铂金坩埚形状和数量可控。
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