[发明专利]一种超导器件无效
| 申请号： | 88106054.2 | 申请日： | 1988-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN1017110B | 公开（公告）日： | 1992-06-17 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L39/14 | 分类号： | H01L39/14;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,肖春京 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 超导 器件 | ||
【权利要求书】：
1、一种超导器件，它包括：
一半导体衬底；
一在所述半导体衬底里形成的半导体器件；
一在所述衬底上形成的超导引线；以及
一连接所述半层体器件和所述超导引线的接触，
其特征在于，所述接触是一种由第一和第二导电层组成的双缓冲层，所述第一层与所述半导体器件接触并包括由WSi2、MoSi2、Si和Al的组合中的一个组成部分，所述第二层与所述超导引线接触并包括由Cu、Ag和Au的组合选出的一个组成部分。
2、权利要求1的超导器件，其特征在于，所述半导体器件是个绝缘栅晶体管。
3、权利要求2的超导器件，其特征在于，绝缘栅由所述超导引线的一部分形成。
4、权利要求3的超导器件，其特征在于，所述超导引线是在场绝缘薄膜上形成的。
5、权利要求1的超导器件，其特征在于，所述超导引线是由金属膜和超导膜构成的叠层。
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