[发明专利]表面带有覆盖层的超导体陶瓷无效
申请号: | 88106291.X | 申请日: | 1988-08-25 |
公开(公告)号: | CN1023624C | 公开(公告)日: | 1994-01-26 |
发明(设计)人: | 山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L39/00 | 分类号: | H01L39/00;H01B12/00;C04B35/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 齐曾度 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 带有 覆盖层 超导体 陶瓷 | ||
1、一种表面带覆盖层的超导体陶瓷,它包括:
一种高Tc氧化铜超导陶瓷材料片,该材料符合化学计量式(A1-xBx)yCuzOw,其中A是一种或多种选自周期表Ⅲa族的元素,B是(A1-xBx)yCuzOw,其中A是一种或多种选自周期表Ⅲa族的元素,B是一种或多种选自周期表Ⅱa族的元素,0<x<1,2.0≤y≤4.0,1.0≤z≤4.0,4.0≤w≤10.0,
一个覆盖于所述片的暴露表面的覆盖层,其特征在于,所述覆盖层是选自环氧树脂、氟树脂、聚酰亚胺树脂和类金刚石碳。
2、按权利要求1的超导体陶瓷,其中所述的超导陶瓷材料是YBa2Cu3O7-x或YCa2Cu3O7-x。
3、一种表面带有覆盖层的超导体陶瓷,它包括:
一种高Tc氧化铜超导陶瓷材料片,该材料符合化学计量式(A1-xBx)yCuzOwXv,其中A是一种或多种选自周期表Ⅲa族的元素,B是一种或多种选自周期表Ⅱa族的元素,X是一种或多种选自Ge、Sn、Pb、F、Cl的元素;0<x<1,2.0≤y≤4.0,1.0≤z≤4.0,4.0≤w≤10.0,0≤v≤3,
一个覆盖于所述片的暴露表面的覆盖层,其特征在于,所述覆盖层是选自环氧树脂、氟树脂、聚酰亚胺树脂和类金刚石碳。
4、一种表面带有覆盖层的超导体陶瓷,它包括:
一种高Tc氧化铜超导陶瓷材料片,该材料符合化学计量式(A1-xBx)yCuzOw,其中A是一种或多种选自周期表Ⅴb族的元素,B是一种或多种选自周期表Ⅱa族的元素,0.3<x<1,2.0≤y≤4.0,1.0≤z≤4.0,4.0≤w≤10.0,
一个覆盖于所述片的暴露表面的覆盖层,其特征在于,所述覆盖层是选自环氧树脂、氟树脂、聚酰亚胺树脂和类金刚石碳。
5、一种表面带有覆盖层的超导体陶瓷,它包括:
一种高Tc氧化物超导陶瓷材料片;
一个覆盖于所述片的暴露表面的覆盖层,其特征在于,所述覆盖层是选自环氧树脂、氟树脂、聚酰亚胺树脂和类金刚石碳。
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