[发明专利]制作超导图案的方法

权利要求书

1、一种制作超导图案的方法包括：

形成一种与所需成分一致的含铜氧化物陶瓷薄膜，以在一不导电的衬底表面上具有超导特性；以及

对该陶瓷薄膜进行热处理，使其形成一种超导结构，它的C平面平行于所述陶瓷薄膜的表面；

其特征在于：

除了使第二部分根据规定图案成为超导区之外，将一种碍超导元素加到所述陶瓷膜的第一部分，以使所述成分变成与超导区构不相一致的成分，所述碍超导元素是从Si、Ge、B、Ga、P、Ta、Mg、Be、Al、Fe、Co、Ni、Cr、Ti、Mn和Zr组成的元素组中选出的。

2、根据权利要求1的方法，其特征在于：超导特性所需的所述成分，是按照化学计量分子式（A_1-xB_x）_yCu_zO_w选择的，式中A为周期表Ⅲa族中的一种或一种以上的元素，例如镧系元素中的稀土元素，B为碱土金属即Ba、Sr和Ca中的一种或一种以上的元素，而x＝0-1;y＝2.0-4.0;z＝1.0-4.0;w＝4.0-10.0。

3、根据权利要求1的方法，其特征在于：超导特性所需的所述成分，是按照化学计量分子式（A_1-xB_x）_yCu_zO_w选择的，式中A为周期表Ⅴa族，例如Bi、Sb和As中的一种或一种以上的元素，B为周期表Ⅱa族，例如包括铍和镁的碱土金属中的一种或一种以上的元素，而x＝0.3-1;y＝2.0-4.0，最好为2.5-3.5;z＝1.0-4.0，最好为1.5-3.5;w＝4.0-10.0，最好为6.0-8.0。

4、根据权利要求1的方法，其特征在于：碍超导元素的所述添加是通过离子注入来实现的。

5、根据权利要求1的方法，其特征在于：所述表面是YSZ（氧化钇稳定的锆石）衬底的表面。

6、根据权利要求1的方法，其特征在于：所述表面是通过用一钝化膜涂敷硅半导体衬底形成的。

7、根据权利要求1的方法，其特征在于：所述被碍超导的陶瓷薄膜的成分与化学计量分子式[（A′_pA″_1-p）_1-x（B′_qB″_1-q）_x]_y（Cu_rX_1-r）_zO_w相一致，式中A′是周期表Ⅲa族中一种或一种以上的元素，例如稀土元素或镧系元素，B′是一种或一种以上碱土金属，亦即是Ba、Sr和Ca，A″，B″和X是至少一种选自Mg、Be、Al、Fe、Co、Ni、Cr、Ti、Mn和Zr组合的碍超导元素，以及x＝0.1-1;y＝2.0-4.0，z＝1.0-4.0和w＝4.0-10.0。

8、根据权利要求3的方法，其特征在于，该陶瓷薄膜由分子式Bi₄Sr₄Ca₂Cu₄O_x表示。