[发明专利]磁光记录体无效
申请号: | 88107474.8 | 申请日: | 1988-10-28 |
公开(公告)号: | CN1018100B | 公开(公告)日: | 1992-09-02 |
发明(设计)人: | 佐藤龙二;水本邦彦;户上雄司;斋藤信雄;森下忠隆 | 申请(专利权)人: | 三井石油化学工业株式会社;日本放送(广播)协会 |
主分类号: | G11B5/66 | 分类号: | G11B5/66;G11B11/10 |
代理公司: | 上海专利事务所 | 代理人: | 王孙佳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 记录 | ||
本发明涉及具有多层磁合金膜的磁光记录体,尤其是涉及具有优异的读出特性的、其磁合金膜的Kerr旋转角增大了的磁光记录体。
更进一步说,本发明是涉及具有多层磁合金膜的磁光记录体,特别是涉及其Curie点已被降低而磁合金膜的Kerr旋转角不降低的磁光记录体。
人们已了解到,含有过渡金属如铁和钴以及稀土元素如铽(Tb)和钆(Gd)的磁合金膜具有垂直于该膜的平顺磁轴,并且能通过用会聚的光辐射该膜而形成带有逆平行于膜的磁化的磁力的小磁畴。通过使该逆向的磁畴之存在或不存在分别记为“1”或“0”,就可以施行所谓的磁光记录,从而在上述磁合金膜上记下数字符号。
在用作上述磁光记录的磁光记录体中,通常是通过把激光束这样的光会聚在记录层上并且检测由Kerr效应所旋转的偏振平面的旋转角θk来读出记录层上所记录的信息。这种Kerr旋转角θk是材料的固有特性,是根据所使用的材料(用于制造构成记录层的磁合金膜)种类而被确定的。当该Kerr旋转角变大时,就能够对一系列信息加以清楚地区分,而读信息过程中的差错也就减少了。于是,用作记录膜的磁合金膜的重要特性就是磁合金膜具有大的Kerr旋转角。
然而,在一直被用作磁光记录体的Tb-Fe型磁合金膜之场合,存在着这样一个问题,即,膜的Kerr旋转角θk小至约0.3°,于是,检测该Kerr旋转角θk的光学系统就变得十分复杂。
为了解决上述问题,人们曾试图在基体和磁合金膜之间设置一透明的绝缘膜(一增强膜)从而通过多级反射来增大Kerr旋转角θk。 然而,这种通过在基体和磁合金膜之间设置透明的绝缘膜来增大Kerr旋转角的尝试,存在着这样一些问题,即,基体的折射指数和磁合金膜的折射指数之间的固定的旋转必须是令人满意的,因此,往往不容易挑选出用作透明绝缘膜材料的种类,因而,这就难以找到一种为增大磁合金膜之Kerr旋转角的被认为是最佳的尺度。
另外,最近人们又提出了一种方法,即把磁合金膜弄薄至大约250并为如此薄的磁合金膜提供一反射膜从而增大所述磁合金膜的Kerr旋转角。但是在该方法中也存着这样一个问题,即法拉第效应(Feraelay effect)有助于θk和Kerr效应,结果预先确定磁合金膜厚度的途径就变得很复杂。再者,还有这样的问题,即反射膜的设置会使成膜过程变得更复杂化。
此外,在这方面人们还得知,磁合金膜当它们被发现具有大的Kerr旋转角时往往具有高的居里(Curie)点(日本磁学会第42次会议,研究资料42-1,1985.p.1-9)。用作记录层的磁合金膜最好具有低的居里(Curie)点,且最理想的一般是100-200℃。这是因为,如果在信息被记录于所述记录层上时该记录层具有高的居里(Curie)点,那么用于记录的激光之输出就必须是大的,而事实上是不可能以高的速度来记录和抹去其居里(Curie)点高于200℃的记录层上的信息的。
因此,关于磁光记录体的记录层,人们一直希望能有一些具有低居里(Curie)点但不降低Kerr旋转角的记录层。
另外,人们已经开发了具有含Pt Mn Sb等的无定形磁膜和含有Tb Fe等的磁膜(相间地层压着)的磁光记录体,其目的在于改善记录层的矫顽力(日本磁学会杂志11(2),173,1987),也开发了具有含Ni Fe等的磁膜和含-Fe Mu等的磁膜(相间地层压着)的记录体,其目的在于改善磁性(日本应用磁协会第10次会议,发言集节略,P.409,1986)。但是,在上面所引用的记录体中,仍然不可能期望有降低Curie点而不降低记录层之Kerr旋转角的效果。
本发明是要解决以上所述的问题,因而本发明的目的是要提供一种其Kerr旋转角极大地增大的具有优异的读出特性的磁当记录体。
本发明的进一步目的是要提供构成记录层之材料的居里(Curie)点降低而记录层之Kerr旋转角不降低从而便于信息之记录或读出的磁光记录体。
本发明之第一磁光记录体的特征在于,至少有两层磁合金膜,每一层含有稀土金属和过渡金属,和至少两层透明膜被层压在一基体上以至使每一层所述的磁合金膜和每一层所述的透明膜被彼此交替地层压,所述磁合金膜的膜厚为5-250,所述透明膜的膜厚为5-4000,所述磁合膜和所述透明膜的总膜厚为小于1μm。
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