[发明专利]单晶硅的制造设备

权利要求书

1、一种制造柱状硅单晶(5)的设备，它有一旋转的坩埚(1)，坩埚由围绕着它的侧壁的电阻加热器(6)加热，所述设备包括一由熔凝石英制成的固定于所述坩埚底部的筒状隔板装置(11)，所述的隔板把坩埚(1)分为原料熔化区和单晶提拉区，隔板的顶部安排成伸到熔化液体的表面之上，隔板上有多个小孔(12)，熔化的硅可以通过这些小孔从原料熔化区流到单晶提拉区，还包括一把粉末硅引入所述原料熔化区的装置(13)，装置(13)的端部设置在液体表面的上方，其特征在于，所述制造单晶硅的设备包括一热绝缘板(20)，热绝缘板(20)有一凸缘部分和漏斗形的屏蔽部分，并包括至少一个高强度石墨底面，该底面用高纯石英或用表面涂有高纯SiC和Si₃N₄的高强度石墨复盖；凸缘部分的中心有一圆形开口，并有一引导粉末硅的孔，屏蔽部分连接到所述开口的内周边上，以某一角度向中心延伸，仅盖住原料熔化区熔化的液体的表面及伸到熔化的液体的表面的上方的隔板(11)的顶部和内表面，所述电阻加热器(6)适于把所述坩埚(1)加热到一定温度，使原料熔化区和所述单晶提拉区的温度差维持在至少10℃。

2、根据权利要求1的设备，其特征在于，所述隔板环（11）由高纯石英制成，在它的高度的约一半以下设置一个或多个直径小于5mm的孔，所述隔板环伸出熔化的硅表面之上的距离为5mm或更少。

3、根据权利要求1或2中任一项的设备，其特征在于，所述坩埚（1）坐在一个石墨坩埚（2）中，石墨坩埚（2）用低热导的热阻材料在相当于隔板环的位置分隔开，且热阻块置于所述石墨坩埚的下面。