[发明专利]一种台面半导体器件钝化工艺及设备

权利要求书

1、一种台面半导体器件钝化工艺，利用HF-HNO₃混合蒸汽和甲基三氯硅烷先后对管芯作用，在裸露的PN结表面形成一层钝化膜，本发明的特征在于，HF-HNO₃混合蒸汽和甲基三氯硅烷在高压锅中加热、加压的条件下，对管芯进行钝化。

2、根据权利要求1所述台面半导体器件钝化工艺，其特征在于，以500-900毫升/分的高纯氮气携带HF-HNO₃混合蒸汽在温度为65-70℃，压力为1.3-1.5千克/平方厘米的条件下对管芯作用2-5分钟，然后再稳固处理25-40分钟。

3、根据权利要求1或2所述台面半导体器件钝化工艺，其特征在于，甲基三氯硅烷在温度为55-65℃条件下对管芯作用2-3小时，然后在真空干燥箱中高温固化6-8小时。

4、根据权利要求1或2所述台面半导体器件钝化工艺，其特征在于，钝化过程在红外光照射下进行。

5、根据权利要求3所述台面半导体器件钝化工艺，其特征在于，钝化过程在红外光照射下进行。

6、一种适用于权利要求1所述工艺的改进了的高压锅6，其特征在于，盖7上装有进气管8，排气管14，及温度计，盖7的内表面中央装有红外灯12，内桶19中有一放置管芯22的有孔载板20，外桶18和盖7的内表面及内桶19的表面涂有防腐材料。

7、根据权利要求6所述高压锅6，其特征在于，温度计为电接点玻璃温度计9，与红外灯12共受电子继电器与控制。