[实用新型]具有单层衬底结构的高压晶体管无效
| 申请号： | 88213133.8 | 申请日： | 1988-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN2055292U | 公开（公告）日： | 1990-03-28 |
| 发明（设计）人： | 李思敏 | 申请（专利权）人： | 北京市半导体器件研究所 |
| 主分类号： | H01L29/02 | 分类号： | H01L29/02;H01L29/76 |
| 代理公司： | 北京市专利事务所 | 代理人： | 王敬智 |
| 地址： | 北京市昌*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 单层 衬底 结构 高压 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1、具有单层衬底结构的高压晶体管，属半导体器件领域，包括高压VDMOS晶体管，高压VVMOS晶体管，高压JFET晶体管，高压GAT晶体管，高压BJFET晶体管，其特征在于：高压晶体管的衬底是不长外延层的高阻硅单晶片，在管芯工艺完成后，通过减薄芯片，即形成具有单一高阻薄层结构衬底的高压晶体管。
2、根据权利要求1所述的具有单层衬底结构的高压晶体管，其特征在于高阻层的厚度能减薄能到60μ，并能对厚度60μ的薄硅片进行加工。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京市半导体器件研究所，未经北京市半导体器件研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/88213133.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：日光灯半波整流式启辉器
- 下一篇：锅炉用超温报警联锁自控器
- 同类专利
- 专利分类
