[发明专利]淀积主要由碳组成的薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 89101005.X 申请日: 1989-02-25
公开(公告)号: CN1028117C 公开(公告)日: 1995-04-05
发明(设计)人: 伊藤健二 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: C23C16/50 分类号: C23C16/50;C23C16/26
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 肖掬昌,程天正
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 主要 组成 薄膜 方法
【权利要求书】:

1、一种形成无定形碳涂层的方法,其特征在于,所述的方法包括下列步骤:

将物体放置在反应室内;

将包括至少一种碳氢化合物的反应气体引进压力不低于0.133帕的所述反应室;

将射频能量输进一对电极,以便分解所述反应气体,并将所述物体置于其中一个所述电极对上;

将一负直流偏压输进所述电极对的一个其上放置所述物体的电极上;以及

将所述无定形涂层淀积在所述物体上,

其特征在于,所述负直流偏压值在淀积所述无定形碳涂层期间是连续改变的,以使所述无定形涂层在靠近该物体处的硬度小于远离所述物体处的硬度。

2、根据权利要求1所述的方法,其特征在于,供给至所述电极的能量是可调节的,以便使所述电极间的微分电位平均地从沉积的最初阶段增加至淀积的最后阶段。

3、根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述物体的平均电位是低于另一电极的平均电位。

4、根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述微分电位是逐步增加的,旨在使所述碳涂层包括一具有较低硬度的下层薄膜和一具有较高硬度的上层薄膜。

5、根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述微分电位逐渐地降低,以便形成一碳涂层,其硬度从所述碳涂层和所述基底之间的界面至所述碳涂层的外表面是连续地增加。

6、根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述微分电位是通过在淀积工序中减小所述反应室内的压力来增加的。

7、根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述压力是逐步减小的,旨在使所述碳涂层包括一具有较低硬度的下层薄膜和一具有较高硬度的上层薄膜。

8、根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述压力是逐渐地减小,以便形成一碳涂层,其硬度从所述碳涂层和所述基底之间的界面至所述碳涂层的外表面是连续地增加的。

9、根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述微分电位是通过增加供应给所述电极的所述电能的输入电平来增加的。

10、根据权利要求1所述的方法,其特征在于,以SP2轨道为基准的碳键相对于碳涂层的厚度的比例按照所述直流偏压的增加而减少。

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