[发明专利]成膜装置及其用它生产非晶硅化合物薄膜的方法

权利要求书

1、一种用于在基片上形成薄膜的装置，包括一高频涂敷电极和一接地电极，所说的高频涂敷电极是具有一带有凸峰和凹谷的不平坦表面。

2、根据权利要求1的装置，其特征是谷的宽度L等于，或大于峰的宽度W。

3、根据权利要求1的装置，其特征是峰的宽度W是0.1mm≤W≤10cm。

4、根据权利要求1的装置，其特征是谷宽L是0.5mm≤L≤10cm。

5、根据权利要求1的装置，其特征是峰高H是0.5cm≤H≤5.0cm。

6、根据权利要求1的装置，其特征是不平坦表面有多个凸峰和多个凹谷。

7、根据权利要求6的装置，其特征是峰和谷被排列成同心圆的形式。

8、根据权利要求6的装置，其特征是峰和谷被排列成同心方形的形式。

9、根据权利要求6的装置，其特征是峰和谷被排列成互相平行的一组直线。

10、根据权利要求1的装置，其特征是各个峰有不同的宽度以使薄层形成速度变得均匀。

11、根据权利要求1的装置，其特征是各个峰根据它们在高频涂敷电极表面上所处的位置有不同宽度，以便使成膜速度变得均匀。

12、根据权利要求1的装置，其特征是各个谷按照它们在高频涂敷电极表面上所处的位置而有不同的宽度，以便使成膜速度变得均匀。

13、根据权利要求1的装置，其特征是各个峰按它们在高频涂敷电极表面上所处的位置而有不同的高度，以便使成膜速度变得均匀。

14、根据权利要求1的装置，其特征是用于硅化合物的辉光放电分解的。

15、一种形成非晶硅薄膜的方法，它包括采用权利要求1至14的任一装置，供给含硅气体并使高频涂敷电极和接地电极之间产生辉光放电，将基片安放在产生辉光放电的环境中，而且由此在该基片上形成非晶硅膜层。

16、根据权利要求15的方法，其特征是基片固定不动的安放在辉光放电的环境中。

17、根据权利要求15的方法，其特征是基片是在不断传送状态下放置在辉光放电的环境中。

18、一种采用权利要求15方法所形成的非晶硅薄膜。