[发明专利]CMOS/NMOS集成电路无效
申请号: | 89101825.5 | 申请日: | 1989-03-30 |
公开(公告)号: | CN1036864A | 公开(公告)日: | 1989-11-01 |
发明(设计)人: | 汉斯·尤根·加里;阿荷德·尤兰霍夫 | 申请(专利权)人: | 德国ITT工业公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人: | 杜日新 |
地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cmos nmos 集成电路 | ||
1、CMOS/NMOS集成电路(S),具有,最好数字的,功能,每个功能由一基本电路实现,如加法器(SM),乘法器(m),除法器(d),比较器(k)、存贮器(sp)、移位寄存器(sr)、模/数转换器(ad)、数/模转换器(da)或采样保持器(ah)、翻转触发器(f)、反相器(ic,id)或门(g),其特征为将各功能所需的基本电路中子数(p)个制成CMOS基本电路(c),其余子数q个制成增强型NMOS具有电流源的基本电路(N),最好是以耗尽型晶体管为负载器件,并选择子数p,使CMOS基本电路(c)中传输延迟对供电电压的依赖性被NMOS基本电路(N)中传输延迟对供电电压的依赖性所补偿。
2、如权利要求1所述的CMOS/NMOS集成电路,其特征为包括环振荡器,其中有p个串联的CMOS反相器(ic),及后面的q个串联的NMOS耗尽负载型反相器(id),最后一个NMOS反相器的输出与第一个CMOS反相器的输入相耦合,且p+q为奇数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的