[发明专利]磁光盘存储合金材料及其制备方法

权利要求书

1、一种磁光盘存储合金材料，由一透明基片和其上的合金材料构成，其特征在于：所述合金材料以锰铋合金为基，并掺入铝，硅原子；所述锰、铋、铝、二氧化硅按一定顺序真空淀积在所述透明基片上，相互扩散形成多层薄膜，所述合金材料的分子式为：

Mn₁BixAlySiz

其中，x=0.7～1.0，y=0.2～0.5，z=0.5～2.0。

2、根据权利要求1所述的磁光盘存储合金材料，其中的硅原子可以用硼原子代替。

3、根据权利要求1所述的磁光盘存储合金材料，其中，所述透明基片为玻璃基片。

4、根据权利要求1所述的磁光盘存储合金材料，其中，所述透明基片为塑料基片，例如，聚甲基丙烯酸甲酯基片。

5、一种制备磁光盘存储合金材料的方法，其特征在于包括下列步骤：

（1）准备一透明基片以及用量比例为1.0∶0.7～1.0∶0.2～0.5∶0.5～2.0的Mn、Bi、Al、SiO₂;

（2）将所述透明基片放入真空室，并分别将所述Mn、Bi、Al、SiO₂放入真空室中的坩埚内，抽真空至1×10^-6～1×10^-8乇;

（3）依SiO₂和Al在第一或第四，Mn和Bi在第二或第三位的顺序依次将所述坩埚加热到高于其各自熔点的温度，从而在上述基片上淀积由所述材料形成的多层薄膜;

（4）将上述薄膜在真空室内、300～380℃的温度下退火3～5小时，再冷却到室温。

6、根据权利要求5所述的制备磁光盘存储合金材料的方法，其中，Mn、Bi、Al、SiO₂在基片上的蒸发顺序为：SiO₂、Mn（或Bi）、Bi（或Mn）、Al。

7、根据权利要求5所述的制备磁光盘存储合金材料的方法，其中，Mn、Bi、Al、SiO₂在基片上的蒸发顺序为：Al、Mn（或Bi）、Bi（或Mn）、SiO₂。

8、一种制备磁光盘存储合金材料的方法，其特征在于包括下列步骤：

（1）准备一透明基片及锰、铋、铝、二氧化硅靶;

（2）将所述Mn、Bi、Al、SiO₂靶及透明基片放入真空室，并抽真空至1×10^-8乇;

（3）向真空室内充入惰性气体氩;

（4）加电压使氩离子依SiO₂和Al在第一或第四，Mn和Bi在第二或第二位的次序轰击各靶，在所述透明基片上溅射形成一由所述各材料构成的多层薄膜，使SiO₂层厚为1000～2000埃，锰铋层厚为500～1000埃，铝层厚为200埃;

（5）将上述薄膜在真空室内、300～380℃温度下退火3～5小时，再冷却到室温。

9、根据权利要求8所述的制备磁光盘存储材料的方法，其中，在透明基片上溅射Mn、Bi、Al、SiO₂的顺序为：SiO₂、Mn（或Bi）、Bi（或Mn）、Al。

10、根据权利要求8所述的制备磁光盘存储材料的方法，其中，在透明基片上溅射Mn、Bi、Al、SiO₂的顺序为：Al、Mn（或Bi），Bi（或Mn）、SiO₂。

11、根据权利要求5或8所述的制备磁光盘存储合金材料的方法，其中，所用的原材料的纯度不低于化学纯。

12、根据权利要求5或8所述的制备磁光盘存储合金材料的方法，其中，所述SiO₂可以用B₅N₃代替。