[发明专利]砷化镓/磷化铟异质气相外延技术在审
| 申请号： | 89102308.9 | 申请日： | 1989-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN1040401A | 公开（公告）日： | 1990-03-14 |
| 发明（设计）人： | 张国义;刘式墉 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;C30B25/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 吉林大学专利事务所 | 代理人： | 崔丽娟 |
| 地址： | 吉林省*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 砷化镓 磷化 铟异质气相 外延 技术 | ||
【权利要求书】：
1、一种应用氯化物VPE设备，在InP衬底上生长GaAs单晶薄膜的VPE技术，其特征在于采用分步预热法和衬底温度与载气H2流量耦合调制法在InP衬底上生长GaAs单晶薄膜。
2、一种按照权项要求1所述的VPE技术，其特征在于距外延炉前口30～40cm范围内，有均匀的纵向炉温梯度12～15℃cm-1。
3、一种按照权项要求1所述的VPE技术，其特征在于采用介质膜做InP衬底上非生长区域的保护膜，防止InP的热分解。
4、一种按照权项要求1，2所述的VPE技术，其特征在于通过改变衬底在炉体中的位置，方便、迅速、准确地改变衬底的温度。
5、一种按照权项要求1，4所述的VPE技术，其特征在于对衬底进行分步预热，抑止InP衬底的热损伤，提高衬底的温度。
6、一种按照权项要求1，4所述的VPE技术，其特征在于外延生长过程中，通过对衬底温度与载气H2流量的耦合调制，形成多界面应力释放层，使3.7%的晶格失配应力引起的斜位错终止于界面，提高外延层的晶体质量。
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