[发明专利]低频变压器

权利要求书

1、一种低频变压器，其特征在于包括由具有如下通式表示的组分的合金制成的磁芯，

Fe_100-x-y-z-aCu_xSi_yB_zM^′_a(原子%)

其中：M′是选自元素组Nb、W、Ta、Mo、Zr、Hf和Ti中的至少一种元素，x、y、z和a分别满足。0.1≤x≤3.0、y≤17、4≤z≤17、10≤y+z≤28和0.1≤a≤5，至少50%的合金结构由细晶粒占据，当测量其最大直径时，平均晶粒尺寸为1000或更小。

2、一种低频变压器，其特征在于包括由具有如下通式表示的组分的合金制成的磁芯，

（Fe_1-aMa）_100-x-y-αCu_xSi_yB_zM′_α（原子%）其中：M是Co和/或Ni，M′是选自元素组分Nb、W、Ta、Mo、Zr、Hf和Ti中的至少一种元素a、x、y、z和α分别满足0＜a≤0.3，0.1≤x≤3、0＜y≤17、4≤z≤17、10≤y+z≤28和0.1≤α≤5，至少50%的合金结构由细晶粒所占据，当通过测量其最大直径时，平均晶粒尺寸为1000更小。

3、根据权利要求1或2的低频变压器，其特征在于，所说的合金还含有Ge、C、Ga和Al中的至少一种元素，其含量为γ，合金满足0＜y≤10，10≤y+z+r≤20，其中Ge、C、Ga和Al的含量0＜γ≤4。

4、根据权利要求1或2的低频变压器，其特征在于，所说的合金满足0.5≤x≤2、0≤y≤15、7≤z≤15、15≤y+z≤25和1≤α≤3。

5、根据权利要求3的低频变压器，其特征在于，所说的合金带满足0.5≤x≤2、0＜y≤10、7≤z≤15、10≤y+z+γ≤20、1≤α≤3和0.1≤γ≤3。

6、根据权利要求1或2的低频变压器，其特征在于所述合金结构的剩余部分基本上是非晶的。

7、根据权利要求1或2的低频变压器，其特征在于所述合金结构基本上是由细晶粒组成的。

8、根据权利要求1或2的低频变压器，其特征在于所述细晶粒的平均晶粒尺寸是500或更小。

9、根据权利要求1或2的低频变压器，其特征在于所述合金的饱和磁通密度Bs为13KG或更高。