[发明专利]一种电摄影用的光敏器件

权利要求书

1、一种电摄影用的光敏器件(1)，包括电导基片(2)和形成在该基片(2)上的光导层(4)，其中所说的光导层(4)是用电子回施共振方法由含氢和/或卤素以原子数计占40%或以上的非晶形硅构成的。

2、按权利要求1的电摄影用的光敏器件（1），其中所说的光导层（4）是由含氢和/或卤素以原子数计占40-60%的非晶形硅构成的。

3、按权利要求2的光敏器件（1），其中所说的光导层（4）是由含氢和/或卤素以原子数计占40-50%的非晶形硅构成的。

4、按权利要求1的光敏器件（1），其中所说非晶形硅在2100cm^-1附近吸收系数与在2，000cm^-1附近的吸收系数之比是在1.3-2.5范围之间。

5、按权利要求1的光敏器件（1），其中所说的非晶形硅的红外光谱中，在840cm^-1附近的积分吸收强度与在880cm^-1附近的积分吸收强度的比是在0.2-0.6范围之间。

6、按权利要求1的光敏器件（1），还包括一层夹在基片（2）和光导层（4）之间的中间层（3）和一层形成在所说光导层（4）上的外涂层（5）。

7、按权利要求1的光敏器件（1），其中所说的光导层（4）添加有周期表ⅢA族的一种元素作为杂质。

8、按权利要求1的光敏器件（1），其中所说的光导层（4）添加有周期表ⅤA族或ⅥA族的一种元素作为杂质。