[发明专利]一种单晶硅压力传感器制造方法及其结构

权利要求书

1、一种单面加工单晶硅压力传感器的制做方法，其特征是首先在下层硅上产生出至少一个空腔，然后将另一上层硅与下层硅封接在一起并减薄上层硅至所需厚度，在下层硅空腔上获取硅压力敏感膜，形成硅盒结构，再利用常规工艺在硅压力敏感膜上制做压敏元件，最后划片封装制成单晶硅绝对压力传感器或传感器阵列。

2、按照权利要求1所说的单面加工单晶硅压力传感器的制做方法，也可在下层硅产生空腔时使空腔穿透整个下层硅，制成差压、绝对压力两用的传感器。

3、按照权利要求1，2所说的单面加工单晶硅压力传感器的制做方法，可在参考腔外的硅表面上采用常规工艺制做处理电路，制成集成压力传感器。

4、一种硅盒结构单晶硅绝对压力传感器，其特征是压力参考腔被夹在硅片体内，形成压力参考腔后硅片的形状及加工性能与原始硅片没有区别。