[发明专利]半导体器件制造方法

权利要求书

1、制造半导体器件的方法，它包括：(1)在构成该器件的一部分的底层结构的表面上限定一些隔开的区域，每个区域的顶壁和侧壁相交构成边缘，(2)在所述表面和区域上形成绝缘材料层，以及(3)对所述绝缘材料层进行各向异性腐蚀，以露出所述区域的顶壁，而留下所述区域侧壁上的绝缘材料部分，其特征在于：

使所述绝缘材料优先淀积在所述区域的所述边缘上，以便在所述边缘附近形成悬垂在淀积于所述表面上的所述底层绝缘材料之上的绝缘材料部分，以致于在对该绝缘材料进行各向异性腐蚀的过程中，淀积在所述表面上的所述底层绝缘材料起初被所述悬垂部分所遮掩。

2、权利要求1的方法，其特征在于：把所述绝缘材料层淀积到足以使相邻区域上的所述悬垂部分彼此连接的厚度，以便在该相连的悬垂部分下面的绝缘材料层中构成孔隙。

3、权利要求1或2的方法，其特征在于：使所述绝缘材料优先淀积在限定所述区域的所述边缘上，以致于在所述顶壁与所述侧壁相交处有一锐角。

4、权利要求3的方法，其特征在于：以这样的方式构成所述区域，以致于每个区域由较厚的子区域和较薄的盖层子区域构成，所述较厚的子区域限定所述侧壁，而所述较薄的盖层子区域形成所述顶壁并伸出在所述侧壁之外，以便在所述顶壁和所述侧壁相交处形成锐角。

5、权利要求4的方法，其特征在于：构成所述区域的方法是：在所述表面上形成一种材料的较厚层，在该较厚层上形成不同材料的较薄层，然后，通过掩模以这样的方式腐蚀所述较厚层和所述较薄层，以致于所述较薄层欠腐蚀而形成所述较薄的盖层子区域，而所述较厚层形成所述较厚的子区域。

6、权利要求4或5的方法，其特征在于：形成导电材料的较厚子区域。

7、权利要求6的方法，其特征在于：形成铝的较厚子区域。

8、权利要求4至7中任一权利要求的方法，其特征在于：形成由从下列一组材料中选择的材料构成的较厚子区域，该组材料是：硅化铝，氧化铝，硅化钛，钛，钨和钛-钨合金。

9、权利要求5的方法，其特征在于：用铝层构成所述较厚层，然后，通过使所述较厚层氧化或对其进行阳极化处理来形成所述较薄层。

10、权利要求4至9中任一权利要求的方法，其特征在于：以这样的方式形成所述较薄子区域，以致于该较薄子区域的厚度小于大约50毫微米。

11、上述权利要求中任一权利要求的方法，其特征在于：用等离子体增强型化学气相淀积法形成所述第一层。

12、上述权利要求中任一个权利要求的方法，其特征在于：用二氧化硅层，氮化硅层或氧氮化硅层构成所述第一层。

13、上述权利要求中任一个权利要求的方法，其特征在于：在所述各向异性腐蚀之后，在所述底层结构上形成另一个绝缘材料层。

14、制造半导体器件的方法，它基本上如上文参考各附图所描述的。

15、用上述权利要求中任一个权利要求的方法制造的任何半导体器件。

16、本文中公开的任何新特征和特征组合。