[发明专利]芳基三唑啉酮类的制造方法无效
申请号: | 89104570.8 | 申请日: | 1986-12-20 |
公开(公告)号: | CN1026585C | 公开(公告)日: | 1994-11-16 |
发明(设计)人: | 乔奇·西奥道里德斯 | 申请(专利权)人: | FMC公司 |
主分类号: | C07D249/12 | 分类号: | C07D249/12;A01N43/653 |
代理公司: | 上海专利事务所 | 代理人: | 景星光 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芳基三唑啉 酮类 制造 方法 | ||
1、一种制备下式化合物的方法:
其中:
X和Y各为Br,Cl或F;
R2为卤代低级烷基;
R3为低级烷基;
R为低级烷基或卤代低级烷基;
R1为氢或一种成盐基团或低级烷基;
所述的方法包括使相应的取代的1-苯基-Δ2-1,2,4-三唑啉-5-酮进行反应,其中,该苯基的5位由(N(R1)SO2R,氢,硝基,或氨基取代;而其中该三唑啉酮的4位由氢或卤代低级烷基取代;
在一系列步骤中,包括以已知方式,可以是任何顺序的下述步骤:
当X或Y都不是卤素时,进行卤化反应,引入X和Y基团;
当5-苯基取代基不是N(R1)SO2R时,进行烷基磺酰化反应,引入N(R1)SO2R基团。
当4-三唑啉酮取代基不是R2时,进行卤代烷基化反应,引入R2基团。
2、如权利要求1的一种方法,其特征在于X和Y各自是Br、Cl、或F,R2是CHF2,R3是CH3,R是低级烷基和R1是H、一种成盐基团、低级烷基或-SO2R。
3、如权利要求2的一种方法,其特征在于X是Cl或Br,Y是Cl或Br,R是低级烷基和R1是H或一种成盐基团。
4、如权利要求2的一种方法,其特征在于R是低级烷基和R1是-SO2R。
5、如权利要求2的一种方法,其特征在于R是低级烷基和R1是低级烷基。
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