[发明专利]高强度碳化硅基陶瓷材料及其制备工艺无效
申请号: | 89105223.2 | 申请日: | 1989-01-30 |
公开(公告)号: | CN1044644A | 公开(公告)日: | 1990-08-15 |
发明(设计)人: | 张炳荣;杨熙珍;潘敏元;尹维英 | 申请(专利权)人: | 山东工业大学 |
主分类号: | C04B35/56 | 分类号: | C04B35/56 |
代理公司: | 山东省高等院校专利事务所 | 代理人: | 耿庆章 |
地址: | 山东省济南市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 强度 碳化硅 陶瓷材料 及其 制备 工艺 | ||
1、碳化硅基陶瓷材料,用铝和碳作为添加剂,其特征在于该碳化硅陶瓷材料含有5~30%的碳化钨(体积百分比)。
2、碳化硅基陶瓷材料的热压制备工艺,其特征在于碳化硅基配合料用YG类硬质合金强化球磨,获得小于0.5μ的混合粉末。
3、根据权利要求1所述的碳化硅基陶瓷材料,其特征在于碳化硅基陶瓷材料的配比(体积百分比)为:SiC65~95%,Si5~25%,WC5~30%,外加C1~3%(重量),Al微量。
4、根据权利要求2所述的碳化硅基陶瓷材料的热压制备工艺,其特征在于碳化硅基配合料与YG类硬质合金按1∶10强化球磨,采用乙醇为球磨介质,强化球磨170~180小时。
5、根据权利要求2所述的碳化硅基陶瓷材料热压制备工艺,其特征在于该碳化硅基陶瓷材料的热压温度1800~1950℃,压力25~30MN/m2,升温速度30~60℃/分,保温15~90分钟。
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