[发明专利]控制直拉硅单晶中氮含量的方法

权利要求书

1、一种控制直拉硅单晶中含氮量的方法，包括坩埚转速为6～10转/分，坩埚内硅多晶投料量为2～40kg，晶体转速为12～25转/分，拉速为0.8～2.2毫米/分，晶体直径2″～5″，以99.99%以上的纯氮作为保护气体，炉内氮气压力为266～3990Pa，氮气流量为0.2～10m³/hr，制成氮含量为1.0×10¹⁴～7.0×10¹⁴/cm³的硅单晶，其特征在于：

-在熔硅阶段，炉内氮气压力为266～1995Pa，流量为0.2～4m³/hr；

-在拉晶阶段，炉内氮气压力为2660～3990Pa，流量为0.8～10m³/hr；

-在拉晶结束阶段，炉内氮气压力为1330～1995Pa，流量为0.6～4m³/hr。

2、根据权利要求1的方法，其特征在于：制成氮含量为1.0×10¹⁴/cm³数量级的硅单晶，炉内氮气压力在熔硅阶段为266Pa，拉晶阶段为2660Pa，拉晶结束阶段为1330Pa。

3、根据权利要求1的方法，其特征在于：制成氮含量为2.0×10¹⁴/cm³数量级的硅单晶，炉内氮气压力在熔硅阶段为665Pa，拉晶阶段为3325Pa，拉晶结束阶段为1330Pa。

4、根据权利要求1的方法，其特征在于：制成氮含量为3.0×10¹⁴/cm³数量级的硅单晶，炉内氮气压力在熔硅阶段为1330Pa，拉晶阶段为2660Pa，拉晶结束阶段为1330Pa。

5、根据权利要求1的方法，其特征在于：制成氮含量为7.0×10¹⁴/cm³数量级的硅单晶，炉内氮气压力在熔硅阶段为1995Pa，拉晶阶段为3990Pa，拉晶结束阶段为1995Pa。