[发明专利]埋层阻档式多孔硅氧化形成硅隔离结构的方法

权利要求书

1、一种形成SOI结构的方法，器件衬底采用P型硅材料，其特征在于包括如下步骤：

(1)对在硅衬底上经过氧化和光刻步骤而形成的所需窗口部位进行锑或砷扩散，形成n型埋层阻挡层；

(2)P型外延，在衬底上形成P型外延层；

(3)经过氧化、光刻，在P型外延层上开出制作器件所需的窗口，在n型埋层阻挡层部位的上方保留氧化层和光刻胶；

(4)在上述窗口部位进行磷或砷离子注入，然后在氮气气氛中退火，形成n型岛器件区；

(5)在HF溶液中进行阳极化反应，使P型外延层转化为多孔硅；

(6)多孔硅氧化，使多孔硅区域全部转变为多孔氧化硅。

2、根据权利要求1所说的形成SOI结构的方法，其特征在于上述n型埋层阻挡层的深度控制在4-6微米之间，电阻率在70Ω/□～210Ω/□。

3、根据权利要求1所说的形成SOI结构的方法，其特征在于P型外延层厚度控制在2-3微米，电阻率在0.4～0.8Ω-cm。

4、根据权利要求1所说的形成SOI结构的方法，其特征在于上述的磷离子注入采用PF₃作为磷源，注入能量为100～130Kev，注入剂量为1.0×10¹²～1.5×10¹²（cm^-2），退火温度为950℃～1000℃，时间为25～35分钟。

5、根据权利要求1所说的形成SOI结构的方法，其特征在于上述的阳极化反应溶液HF的浓度为35%～48%，反应电流密度为40-100mA/cm²，反应时间为5-15分钟。

6、根据权利要求1所说的形成SOI结构的方法，其特征在于上述的多孔硅氧化步骤为：先在700℃～800℃湿氧条件下氧化80～100分钟，然后在1000℃～1100℃湿氧条件下氧化15-20分钟，最后在1000℃～1100℃干氧条件下氧化8-12分钟。

7、根据权利要求1所说的形成SOI结构的方法，其特征在于还包括如下步骤：在形成SOI结构后，根据需要，对某些n型岛器件区再进行BF₃离子注入，形成P型岛器件区。