[发明专利]垂直双极晶体管

权利要求书

1、一垂直双极晶体管，包括：

一个半导体材料的基底；

在所述衬底上的半导体材料的外延区；其特征在于：

具有第一导电型形成在上述外延区内的次收集极层，

具有第一导电型在上述外延区内布设在上述次收集极层之上的收集极；

具有第二导电型在上述外延区内布设在上述收集极层之上的基极层；

具有第一导电型半导体材料布设在上述基极层之上的发射极层；

所述外延区包括具有第二导电型的掺杂浓度大于所述基极掺杂浓度的基极延展层，紧接基极层的一侧侧向布设，其上表面在所述发射层的底面之下所述收集极层上表面之上；

一第一侧壁绝缘层是横向地布设接近于并与上述发射层相接触，且在与上述基极延展层相同的一侧；

基极接触内连接是布设在上述基极延展层的上述顶面上，且由上述第一侧壁绝缘层与上述发射极层相隔离；

所述外延区包括具有第一导电型且掺杂浓度大于次收集极层掺杂浓度的次收集极延展层，紧接所述次收集极和与所述基极延展层相距的发射极的另一侧侧向布设，所述次收集极延展层在所述收集极层上表面之下；

第二侧壁绝缘层是横向地布设接近于并与上述发射极层，上述基极层和至少是上述收集极层的一部分相接触，并在上述发射极层的上述另一侧；以及

收集极接触内连接布设在上述收集极延展层的上述顶面上且第二侧壁绝缘层与上述发射机层相隔离。

2、如权利要求1所确定的一垂直双极晶体管，其特征在于：上述第二侧壁绝缘层向下延伸从而其尾端底部是在上述次收集极延展层的上述顶面上。

3、如权利要求2所确定的一垂直双极晶体管，其特征在于：上述第一侧壁绝缘层向下延伸从而其尾端底部是在上述基极延展层的上述顶面上。

4、如权利要求3所确定的一垂直双极晶体管，其特征在于，上述第一和第二侧壁绝缘层是布设在与上述发射极层相对的一侧。

5、如权利要求1所确定的一垂直双极晶体管，其特征在于：有一个发射极接触内连接是布设在上述发射极层上且由至少一层绝缘层使其与上述收集极接触层相隔离。

6、如权利要求1所确定的一垂直双极晶体管，其特征在于：其中上述发射极层有小于1μ的宽度。

7、如权利要求1所确定的一垂直双极晶体管，其特征在于：上述次收集极层是掺杂到至少N+浓度，上述收集极层是掺杂到N浓度，上述基极层是掺杂到P浓度，上述发射极层是掺杂到N+浓度，上述基极延展层是掺杂到P+浓度，以及上述次收集极延展层是掺杂到N++浓度。

8、根据权利要求1所确定的一垂直双极晶体管，其特征在于：上述基极延展层的顶面是在上述次收集极延展层的顶面之上。

9、用于制备垂直双极晶体管的方法，其特征步骤是：

得到一种结构包括掺杂半导体材料的收集极层，布设在上述收集极层之上的掺杂半导体材料的基极层，布设在上述基极层之上的掺杂半导体材料的发射极层，布设在上述发射极的顶面上的第一部分之上的，而不是在其第二部分之上的绝缘材料台阶，以及布设在上述收集极层之下的次收集极，其区域是在上述发射极层的上述顶面的上述第二部分之下;

形成绝缘材料的侧壁隔离层，它是与上述台阶的侧壁相靠着从和盖住上述发射极层顶面的第三部分，该第三部分是小于上述第二部分的;

移去上述发射极至少是以第一体块接近于上述侧壁隔离层的上述基极层的微小部分;

移去上述台阶;

移去上述发射极层并至少是上述移去台阶下面的第二体块中的上述基极层的微小部分以暴露出上述基极层并给出基极层接触表面，并且也移去上述第一体块的附加材料。为了暴露出上述次收集极层中的收集极接触表面或上述次收集极，该次收集是相对低于上述基极接触表面的;

移去上述侧壁隔离层;

同时形成在上述第一体块中的第一绝缘侧壁，它接近于并与上述发射极层，基极层和至少是上述收集极层的微小部分的一侧相接触并触及上述收集极表面，以及在第二体块中的第二绝缘侧壁，它接近于并与上述发射极层和至少是上述基极层的微小部分的另一侧相接触，并触及上述基极接触表面;以及

在上述暴露出的收集极接触表面的顶面上形成收集极的接触内连接和在上述暴露出的基极接触表面的顶面上形成基极接触内连接，上述收集极和基极接触内连接通过仅一层或更多绝缘层与上述发射极相隔开。