[发明专利]磁盘装置

说明书

本发明涉及磁盘装置，特别是关于在使用高密度和低密度两种记录介质磁盘的各记录/再生方式中，能够进行良好的记录/再生处理的磁盘装置。

以既有的软盘作为记录介质的低密度录/放磁盘装置中，为了确保在记录时具备足够的越限特性，提高可读极限，从而将所使用的盘上的磁膜磁化到深处。为此，将记录/再生磁头的磁心间隙宽度设定在由于记录/再生信号电流引起的最小磁通反转间隔的0.6倍，以下并且将磁盘里圈磁道的分辨率的绝对值设定在70%以上。

另一方面，新近提供的能进行高密度记录/再生的磁盘装置，为了减小最小磁通反转间隔，而将记录/再生磁头的磁心间隙宽度设定得较小，同时，由于磁化深度减小，从而将所用盘上的磁膜也设计得较薄。

此外，为了使之具有互换性，能够进行工作方式的转换，还提供了与低密度记录/再生和高密度记录/再生两种磁盘相对应的磁盘装置。这种磁盘装置能够利用一个记录/再生磁头进行高密度和低密度两种方式的记录/再生处理。

但是，在上述高、低密度两种方式兼用的磁盘装置中，存在下述问题。以下以记录密度为2MB的高密度记录/再生方式和记录密度为1MB的低密度记录/再生方式、直径为90mm（3.5英寸）的两用磁盘装置为例，进行说明。

在2MB方式（高密度方式）中，为了确保磁盘里圈磁道的分辨率的绝对值大于70%，磁头的磁心间隙密度必须设定在0.9μm以下（1.46μm×0.60≈0.876≈0.9μm，此外，此式中的1.46μm是2MB记录时的最小磁通反转间隔）。

在2MB用磁盘的记录部分的磁层厚度（即磁膜厚度），平均约为1.0μm。而1MB用磁盘的磁性涂层厚度约为2.0μm，是2MB用磁盘的2倍左右。另外，与此相对应，2MB记录时的最小磁通反转间隔（min、ECL）为1.46μm，1MB记录时的最小磁通反转间隔为2.91μm。

在2MB专用磁盘中，由于磁层较薄（约1μm），所以，在此厚度中，在以上述间隙宽度（0.9μm）的磁头进行记录时，磁化深度可以达到很深处。但是，当把磁层厚度较大（约2μm）的1MB专用磁盘用于备有上述磁头（间隙宽度0.9μm）的两用型磁盘时，磁化作用却不可能达到约2倍厚度的磁层深处。

图4是表示这种状态的说明图，图中的1和2是磁头磁心，g是磁心间隙，3是磁盘的磁层的剖面，4是盘基的剖面。当利用与2MB相对应的窄间隙磁头记录最小磁通反转间隔的信号时，记录/再生磁头的磁通分布曲线的最深处只能达到图示d的位置。因此，如图4所示，既有形式的（窄间隙）磁头写入的旧数据，其超限特性不会有什么问题，但是，对于用1MB专用的装置（宽间隙，间隙宽度约为1.3～1.5μn）写进的旧数据，其超限特性将会变坏。

在既有的2种方式兼用的磁盘装置中，将上述间隙宽度窄的记录/再生磁头兼用于2种方式的结果是，当把磁心间隙设定为0.6～0.9μm时，2MB的磁盘记录时没有什么问题，但在用1MB的磁盘进行记录时，与之相对应的磁盘的磁层厚度就不能充分磁化，从而使超限特性变坏。

如果将磁头磁心的间隙宽度扩大到可将1MB专用盘的磁层磁化到深处的程度，则在进行高密度记录（2MB）时，分辨率将会降低，当降低到60%以下时，相邻比特波形的干涉将会增大，于是将会发生图5所示的峰值漂移，从而不能进行良好的记录/再生处理。

另外，图5是高密度记录时的输入数据再生波形。图中，（A）是数据形式，（B）是写入的数据，（C）是记录电流。（C）中记录电流的时间（图中用X表示）与最小磁通反转间隔相对应。（D）是与分辨率为100%相对应的各磁化反转形成的单个再生波，（E）是与分辨率为60%相对应的各磁化反转形成的单个再生波。如图所示，当分辨率为60%左右时，相邻比特的波形发生干涉，从而发生图中用△I所示的峰值漂移。

这样，若仅设定与低密度记录相对应的磁心间隙宽度，高密度记录时的可读极限将不可避免地要降低，为了补偿这种相反的因素，不得不在能得到适当特性的范围内谋求折衷方案。

因此，本发明的总目的旨在提供一种能够解决上述问题的新型有用的磁盘装置。

本发明较之其它更为具体的目的，是想提供在高、低密度录/放的两旋方式中都能获得良好的记录/再生特性的磁盘装置。

本发明的另一个目的是想提供这样一种磁盘装置，它具备能够用一个记录/再生磁头对高密度和低密度两种磁盘进行记录/再生的相应结构的磁盘装置，上述记录/再生磁头的磁心间隙宽度设定为由记录/再生信号引起的最小磁通反转间隔的0.60～1.20倍，同时，在向上述记录/再生磁头提供再生信号的再生电路中，设有余弦平衡电路。